[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一晶片，具有彼此平行的一第一表面、一第二表面、一第三表面、一第一段差面及一第二段差面，其中该第一段差面连接于该第二表面与该第三表面之间，该第二段差面连接于该第一表面与该第三表面之间；

至少一非金属氧化层，位于该晶片的该第一表面上；

一焊垫，位于该非金属氧化层上，且电性连接该晶片；

一保护层，位于该非金属氧化层上；

一绝缘层，位于该保护层、该非金属氧化层、该晶片的该第一表面、该第二表面、该第三表面、该第一段差面及该第二段差面上；以及

一导电层，位于该绝缘层上，且电性接触该焊垫。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第二段差面垂直于该第一表面与该第三表面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一段差面与该第二表面夹一钝角。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一段差面与该第三表面夹一钝角。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该导电层的材质包含铝。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包含：

一电路板，电性连接该导电层。

7.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

(a)提供一晶圆，其一第一表面上形成有至少一非金属氧化层、一焊垫与一保护层；

(b)蚀刻该保护层与该非金属氧化层，使该晶圆的该第一表面露出；

(c)蚀刻该晶圆的该第一表面，使该晶圆形成平行该第一表面的一第二表面及连接该第一表面与该第二表面的一第一段差面；

(d)蚀刻该晶圆的该第一表面、该第二表面与该第一段差面，使该第一表面与该第一段差面间形成平行该第一表面的一第三表面及连接该第一表面与该第三表面的一第二段差面；

(e)于该保护层、该非金属氧化层、该晶圆的该第一表面、该第二表面、该第三表面、该第一段差面与该第二段差面上覆盖一绝缘层；

(f)于对准该焊垫的该保护层与该绝缘层形成一开口，使该焊垫通过该开口露出；

(g)于该绝缘层上形成一导电层，且该导电层通过该绝缘层的该开口电性接触该焊垫；以及

(h)切割该晶圆的该第二表面，使该晶圆形成二子部。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该步骤(d)还包含：

蚀刻凸出该晶圆的该第一表面的部分该非金属氧化层与该保护层。

9.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该步骤(d)还包含：

使用一光罩覆盖于该晶圆的该第一表面、该非金属氧化层与该保护层，其中该光罩用以保留该非金属氧化层下方的部分该晶圆。

10.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包含：

电性连接该导电层与一电路板。

11.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该第二段差面垂直于该第一表面与该第三表面。

12.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该第一段差面与该第二表面夹一钝角。

13.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，该第一段差面与该第三表面夹一钝角。