[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关一种半导体结构及一种半导体结构的制造方法。

背景技术

现有的半导体结构可由晶圆(wafer)、焊垫(pad)、氧化层(例如二氧化硅)、布线层所构成。一般而言，在制作半导体结构时，位于晶圆上的焊垫与晶圆的表面会先由氧化层所覆盖。接着将焊垫上方的氧化层开孔，并把布线层覆盖于氧化层上。如此一来，布线层可通过氧化层的开孔电性连接焊垫，且能通过打线的方式将焊垫上的布线层与一电路板电性连接。

然而，当半导体结构需设置外盖时，由于外盖位于焊垫上方，因此打线的高度需至少大于外盖的厚度才可将线拉出外盖到电路板上。如此一来，在经过后续封装制程时，会造成整个半导体结构的厚度难以降低，进而影响产品竞争力。

发明内容

本发明的一技术态样为一种半导体结构。

根据本发明一实施方式，一种半导体结构包含晶片、至少一非金属氧化层、焊垫、保护层、绝缘层与导电层。晶片具有彼此平行的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面及第二段差面。第一段差面连接于第二表面与第三表面之间，第二段差面连接于第一表面与第三表面之间。非金属氧化层位于晶片的第一表面上。焊垫位于非金属氧化层上，且电性连接晶片。保护层位于非金属氧化层上。绝缘层位于保护层、非金属氧化层、晶片的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面与第二段差面上。导电层位于绝缘层上，且电性接触焊垫。

在本发明一实施方式中，上述第二段差面垂直于第一表面与第三表面。

在本发明一实施方式中，上述第一段差面与第二表面夹一钝角。

在本发明一实施方式中，上述第一段差面与第三表面夹一钝角。

在本发明一实施方式中，上述导电层的材质包含铝。

在本发明一实施方式中，上述半导体结构还包含电路板。电路板电性连接导电层。

本发明的另一技术态样为一种半导体结构的制造方法。

根据本发明一实施方式，一种半导体结构的制造方法包含下列步骤：(a)提供晶圆，其第一表面上形成有非金属氧化层、焊垫与保护层。(b)蚀刻保护层与非金属氧化层，使晶圆的第一表面露出。(c)蚀刻晶圆的第一表面，使晶圆形成平行第一表面的第二表面及连接第一表面与第二表面的第一段差面。(d)蚀刻晶圆的第一表面、第二表面与第一段差面，使第一表面与第一段差面间形成平行第一表面的第三表面及连接第一表面与第三表面的第二段差面。(e)于保护层、非金属氧化层、晶圆的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面与第二段差面上覆盖绝缘层。(f)于对准焊垫的保护层与绝缘层形成开口，使焊垫通过开口露出。(g)于绝缘层上形成导电层，且该导电层通过绝缘层的开口电性接触焊垫。(h)切割晶圆的第二表面，使晶圆形成二子部。

在本发明一实施方式中，上述步骤(d)还包含蚀刻凸出晶圆的第一表面的部分非金属氧化层与保护层。

在本发明一实施方式中，上述步骤(d)还包含使用光罩覆盖于晶圆的第一表面、非金属氧化层与保护层。其中光罩用以保留非金属氧化层下方的部分晶圆。

在本发明一实施方式中，上述半导体结构的制造方法还包含电性连接导电层与电路板。

在本发明上述实施方式中，由于绝缘层可覆盖于保护层、非金属氧化层、晶圆的第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面与第二段差面上，因此当对准焊垫的保护层与绝缘层形成开口后，导电层便可形成绝缘层上，且通过开口电性接触焊垫。如此一来，导电层可沿晶圆的第一表面、第二段差面、第三表面、第一段差面与第二表面设置。待晶圆切割形成晶片后，第二表面上的导电层可通过导线与电路板电性连接，使电路板能与焊垫电性连接。

因此，当焊垫上方覆盖一外盖时，不会影响此半导体结构的信号传输效果。此外，导线的位置可在晶片的第二表面上方的区域，使得半导体结构的厚度并不会受限于导线，只需减薄尚未切割成晶片的晶圆厚度便可。如此一来，此半导体结构在产品应用上较为弹性，进而提升产品竞争力。

附图说明

图1绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。

图2绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的剖面图。

图3绘示根据本发明一实施方式的半导体结构的制造方法的流程图。

图4绘示图3的非金属氧化层、焊垫与保护层形成于晶圆的第一表面后的示意图。

图5绘示图4的保护层与非金属氧化层蚀刻后的示意图。

图6绘示图5的晶圆的第一表面蚀刻后的示意图。

图7绘示图6的晶圆的第一表面、第二表面与第一段差面蚀刻后的示意图。