[发明专利]一种真空蒸镀装置无效
申请号: | 201410081835.4 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN103866238A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 沐俊应;马大伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/04 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 真空 装置 | ||
技术领域
本发明涉及薄膜形成技术领域,尤其涉及一种真空蒸镀装置。
背景技术
目前,在光电及显示领域,特别是有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)、有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)等器件制造领域,有机小分子真空蒸镀的不均匀性、蒸镀掩膜板(Mask)强度及精确度的要求等因素制约了OLED显示技术往基板大尺化方向的发展。现有技术的真空蒸镀装置中,蒸发源无论采用点蒸发源、线蒸发源、或面蒸发源等,一般均为一步式真空蒸镀,即各层薄膜均一次性蒸镀到整个基板上
图1为现有技术的真空蒸镀装置的剖面结构示意图,包括:用于移动及承载基板的基板驱动机构(图未示),基板表面形成有图形区;用于移动及承载掩膜板3的掩膜板驱动机构(图未示);用于对基板和掩膜板3进行对位的对位机构(图未示);线蒸发源。其中,待蒸镀基板膜面朝下,掩膜板3位于基板下方,线蒸发源位于掩膜板3下方。
图2为现有技术的基板结构的俯视图,包括:基板;形成在基板表面的图形区;基板上对位标记(Mark)5。其中,基板上对位标记5位于图形区外侧。
图3为现有技术的掩膜板结构的俯视图,包括:掩膜板图形区6;掩膜板边框区7;掩膜板上第二对位标记。其中,掩膜板上第二对位标记位于掩膜板边框区7,掩膜板图形区6与基板图形区尺寸相同。
蒸镀时,基板驱动机构将基板移动至掩膜板3上方;掩膜板上第二对位标记与基板上对位标记5通过对位机构进行对位;打开线蒸发源,蒸镀气体向上蒸发至基板表面,并沉积为与掩膜板开口区图形一致的薄膜。
现有技术的真空蒸镀装置主要存在以下缺陷:
对于不同图形的蒸镀薄膜,需要通过不同图形的蒸镀掩膜板来实现,即, 蒸镀掩膜板上的图形与蒸镀薄膜的图形保持一致,对于不同图形的各层蒸镀薄膜需要更换不同图形的蒸镀掩膜板,蒸镀掩膜板的制作成本高;
并且,当需要具有蒸镀图形较复杂的不规则图形的薄膜时,要求掩膜板图形区与基板的图形区图形一致,对于掩膜板的精确度要求高,掩膜板的制作难度大。
发明内容
本发明的目的是提供一种真空镀膜装置,其可以不更换蒸镀掩膜板,而实现不同蒸镀薄膜的图形化。
本发明所提供的技术方案如下:
一种真空镀膜装置,包括:
用于承载及移动基板的基板驱动机构;
用于承载及移动第一掩膜板的第一掩膜板驱动机构,所述第一掩膜板位于所述基板的下方;
用于承载及移动第二掩膜板,以与所述第一掩膜板驱动机构配合,改变所述第一掩膜板与所述第二掩膜板的掩膜板图形区的相互交叠状态的第二掩膜板驱动机构,所述第二掩膜板位于所述第一掩膜板的下方;以及,
蒸发源,所述蒸发源位于所述第二掩膜板的下方。
进一步的,所述基板的表面分成为若干个蒸镀子区域;
所述第一掩膜板与所述第二掩膜板相互交叠后形成的有效掩膜板图形区的尺寸小于所述蒸镀子区域的尺寸,或者所述有效掩膜板图形区的尺寸与所述蒸镀子区域的尺寸相同;
所述真空镀膜装置还包括:
蒸镀挡板,位于所述基板与所述蒸发源之间,能够形成与所述有效掩膜板图形区的尺寸相同的蒸镀气体透过区;
用于移动及承载所述蒸镀挡板,以使所述蒸镀气体透过区与所述基板的当前蒸镀子区域相对应的挡板驱动机构;以及,
用于移动及承载所述蒸发源,以使所述蒸发源与所述基板的当前蒸镀子区域相对应的蒸发源驱动机构。
进一步的,所述真空蒸镀装置还包括用于将所述第一掩膜板和所述第二掩膜板分别与所述基板的当前蒸镀子区域进行对位的对位机构;
并且,当所述第一掩膜板与所述第二掩膜板相互交叠后形成的有效掩膜板图形区的尺寸小于所述蒸镀子区域的尺寸时,
所述真空蒸镀装置还包括:
用于移动及承载所述对位机构移动及承载的对位驱动机构。
进一步的,当所述第一掩膜板与所述第二掩膜板相互交叠后形成的有效掩膜板图形区的尺寸与所述蒸镀子区域的尺寸相同时,
所述蒸镀子区域外侧设有第一对位标记,所述第一掩膜板的边框区设有第二对位标记,所述第二掩膜板的边框区设有第三对位标记;所述对位机构通过所述第一对位标记和第二对位标记对所述第一掩膜板和当前蒸镀子区域进行对位;
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