[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201410081989.3 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN104078450A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 冈部康宽 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/48;H01L23/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于具有：
被安装在引线框架的主面侧的电路元件；
被安装在所述引线框架的背面侧的电感器；以及
对所述电路元件和所述电感器进行树脂密封的树脂体，
所述电路元件具有感温元件，且具有所述电感器的过热保护功能。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述引线框架由被分割成彼此非连续的多个分割框架构成，所述电感器和具有所述感温元件的电路元件被直接安装在所述分割框架上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
该半导体装置设有散热板，该散热板将在装置内部产生的热向装置外方释放。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述电感器由强磁性体的八角柱状芯或圆柱状芯构成，在与配置有所述电感器的设置面相对的位置处配置有具有所述感温元件的电路元件。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，
所述电感器的线圈电流―温度上升特性是2次曲线特性。
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