[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201410081989.3 申请日: 2014-03-07
公开(公告)号: CN104078450A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 冈部康宽 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/48;H01L23/34
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;金玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及具有电感器的DC-DC转换器的半导体装置的过热保护。

背景技术

作为将电源电压转换为规定的动作电压的电力转换装置,公知有具有DC-DC转换器的半导体装置。在这样的半导体装置中,通常公知有在框架的主面侧搭载有电感器(线圈)、IC和电容器的小型且高度较低的SON型半导体装置。

专利文献1:日本特开2007-173712号公报

但是,在SON型半导体装置中,虽然能够通过在基板的一个平面上搭载部件而使高度较低,但是需要扩大搭载面积,平面尺寸变大。此外,由于在平面上安装部件,发热部件与感温元件之间的距离变大,存在温度异常的检测精度和检测时间的延迟等问题。

发明内容

本发明正是鉴于上述课题而完成的,其课题在于,提供在抑制厚度尺寸的增大的同时缩小了平面尺寸的半导体装置的高精度的过热保护。

为了解决上述课题,本发明的半导体装置的特征在于,其具有:被安装在引线框架的主面侧的电路元件;被安装在所述引线框架的背面侧的电感器;以及对所述电路元件和所述电感器进行树脂密封的树脂体,所述电路元件具有感温元件,具有所述电感器的过热保护功能。

此外,本发明的半导体装置的特征在于,所述引线框架由被分割成彼此非连续的多个分割框架构成,所述电感器和具有所述感温元件的电路元件被直接安装在所述分割框架上。

此外,本发明的半导体装置的特征在于,设置有将在装置内部产生的热向装置外方释放的散热板。

此外,本发明的半导体装置的特征在于,所述电感器由强磁性体的八角柱状芯或圆柱状芯构成,在与配置有所述电感器的设置面相对的位置处配置有具有所述感温元件的电路元件。

此外,本发明的半导体装置的特征在于,所述电感器的线圈电流―温度上升特性是2次曲线特性。

根据本发明,能够提供在抑制厚度尺寸的增大的同时缩小了平面尺寸的半导体装置的过热保护功能。

附图说明

图1的(a)~(c)分别是说明本发明一个实施方式的半导体装置的内部结构主视图、侧视图和后视图。

图2的(a)和(b)是说明本发明的本实施方式的外观结构的半导体装置的主视图和侧视图。

图3是示出本发明一个实施方式的电感器的线圈电流―温度上升的特性图。

图4是用于说明本发明的过热保护动作的优点的、示出在直流负载电流上重叠了动态的峰值负载电流的负载电流的波形图。

标号说明

10:半导体装置12:电感器14:树脂体15:散热板16p:分割框架16q:分割框架16r:分割框架18:MIC(电路元件)22a:芯片电容器(电路元件)22b:芯片电容器(电路元件)D:电路元件BF:背面侧MF:主面侧RM:引线框架

具体实施方式

下面参照附图来说明本发明的实施方式。图1的(a)~(c)分别是说明本发明一个实施方式(以下称作本实施方式)的半导体装置的内部结构的主视图、侧视图和后视图。图2的(a)和(b)是说明本发明的本实施方式的外观结构的半导体装置的主视图和侧视图。

本实施方式的半导体装置10是SIP型树脂密封半导体装置,是电感器内置式3端子模块(电感器内置式3端子调节器)。

半导体装置10具有:引线框架RM;被安装在引线框架RM的主面侧MF(表面侧)的具有感温元件的电路元件D;被安装在引线框架RM的背面侧BF的电感器(线圈)12;对电路元件D和电感器12进行树脂密封的树脂体14;散热板15,其被螺钉紧固在背面侧BF的树脂体14的外壁上,将在装置内部产生的热向装置外方释放。

引线框架RM是铜或铜合金等金属制。在本实施方式中,引线框架RM由被分割成彼此非连续的3个分割框架16p~r构成。即,分割框架之间彼此电绝缘。

如图1的(a)所示,从正面侧观察半导体装置10,分割框架16p、16q被配置在左右位置,分割框架16r被配置在中央位置。

此外,在本实施方式中,作为电路元件D,安装有MIC(单片集成电路)18、基板20p、20q、芯片电容器22a、22b。

这里,在MIC18的中央部A安装有感温元件。

MIC18被安装在分割框架16r上。芯片电容器22a被安装成跨分割框架16p、16r,芯片电容器22b被安装成跨分割框架16q、16r。

基板20p被配置在分割框架16p上,基板20q被配置在分割框架16q上。而且,芯片电容器22c被安装在基板20p上。

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