[发明专利]一种多元高熵合金薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201410082293.2 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN103898463A | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 蒋建中;吴振福;王晓东;曹庆平;葛恺;张东武 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C22C30/02 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多元 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种多元高熵合金薄膜,其特征在于:其组成成分为NiCrCoCuFe五元高熵合金薄膜或者NiCrCoCuFeAl4.5六元高熵合金薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜,其特征在于:所述的NiCrCoCuFe五元高熵合金薄膜的厚度为456~920nm,所述的NiCrCoCuFeAl4.5六元高熵合金薄膜的厚度为302~610nm。
3.用于制备权利要求1所述多元高熵合金薄膜的一种多元高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于该方法的步骤如下:
1)首先将单面抛光过的硅片基体放在丙酮中超声清洗,再依次通过酒精和去离子水进行超声清洗;
2)然后将洗好之后的硅片基体放在滤纸上晾干,抛光面向上;
3)将晾干后的硅片基体和高熵合金块体靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上;
4)关闭直流磁控溅射设备的真空室,将真空室的气压抽真空至低于4×10-4Pa,冲入体积百分比为大于等于98%的氩气作为工作气体;
5)在0.3~1Pa的工作气压下,在样品台阀门和蒸发源阀门关闭的同时,对靶材进行预溅射直到完全去除高熵合金块体靶材表面的氧化层;
6)然后持续转动样品台,打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射30~60min,最后取出得到多元高熵合金薄膜。
4.根据权利要求3所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤2)中的高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材或者NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材,NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1,NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:2.5。
5.根据权利要求3所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤1)中用丙酮、酒精和去离子水的超声清洗的时间均为10~25min,超声功率均为80~100w。
6.根据权利要求3所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤2)中硅片基体通过吹风机从硅片基体一侧的方向进行吹干。
7.根据权利要求3所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤3)中样品台与蒸发源的工作距离为8cm。
8.根据权利要求3所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤4)中将真空室的气压抽真空先通过机械泵将气压抽至低于2Pa,再用分子泵将气压抽至低于4×10-4Pa。
9.根据权利要求3所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤5)中预溅射时间为15~20min。
10.根据权利要求3所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法,其特征在于:所述的步骤6)中样品台转速为5~10圈每分钟,直流溅射电流为0.15A,电压为500V,工作功率固定为75W。
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