[发明专利]烧结法制备微晶玻璃的工艺及高平整度的微晶玻璃

权利要求书

1.一种烧结法制备微晶玻璃的方法，其特征在于，包括以下步骤：

混合：按要求取原料，混合，原料中至少包含氧化硅33~36份、氧化钙9~10份、氧化镁10~12份、氧化锂5~6份，所述氧化镁的含量是氧化钙的1.2倍，所述氧化硅的含量是氧化钙的3.7倍；

研碎：将原料研碎，要求所有颗粒直径小于1mm，平均直径为0.5至0.6mm；

压制成型：将原料装入预烧至300℃至400℃的容器，在50至60MPa下保压5至10min，压制过程中，环境温度为300℃至400℃，卸压制成胚体；

升温核化：环境压力10至30MPa，以4至5℃/min的速率升温至600℃至650℃，保温30至60min，再以12至15℃/min的速率升温至1100℃至1200℃，保温3至4小时；

降温晶化：环境压力10至20MPa，以8至10℃/min的速率降至800℃至900℃，保温3至4小时，再以3至3.5℃/min的速率降至常温后制成微晶玻璃；

二次退火：升温至600至700℃，保温0.5至1.5小时，再以0.6至0.7℃/min的速率将至常温，制成产品。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在压制成型过程中，将原料装入预烧至350℃的容器，在55MPa下保压8min，压制过程中，环境温度为350℃，卸压制成胚体。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在升温核化过程中，环境压力20MPa，以4.5℃/min的速率升温至630℃，保温40min，再以14℃/min的速率升温至1150℃，保温3.5小时。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在降温晶化过程中，环境压力15MPa，以9℃/min的速率降至850℃，保温3.5小时，再以3.2℃/min的速率降至常温后制成微晶玻璃。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在二次退火过程中，升温至650℃，保温1小时，再以0.65℃/min的速率将至常温，制成产品。

6.一种所述烧结法制成的微晶玻璃，其特征在于包括氧化硅33~36份、氧化钙9~10份、氧化镁10~12份、氧化锂5~6份，所述氧化镁的含量是氧化钙的1.2倍，所述氧化硅的含量是氧化钙的3.7倍，

其中，所述微晶玻璃的透光率低于40%、厚薄差小于0.2mm，表面粗糙度Ra小于12nm，rms小于18nm、抗折强度大于80MPa且小于120MPa。