[发明专利]一种阵列基板及其制备方法，显示面板、显示装置有效

申请号：	201410083723.2	申请日：	2014-03-07
公开（公告）号：	CN103996655B	公开（公告）日：	2017-02-08
发明（设计）人：	胡理科;祁小敬	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号：	H01L21/77	分类号：	H01L21/77;H01L27/12
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司11112	代理人：	柴亮,张天舒
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种阵列及其制备方法显示面板显示装置
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【权利要求书】：

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用挡光层-掺杂复用掩膜板在衬底基板上通过构图工艺形成挡光层的图形；其中，所述挡光层-掺杂复用掩膜板具有对应衬底基板上驱动区域的第一型晶体管的有源层导电区的遮挡部，以及对应衬底基板上显示区域的第一型晶体管的有源层导电区的遮挡部；所述的挡光层形成在与驱动区域的第一型晶体管的有源层导电区对应的位置，以及与显示区域的第一型晶体管的有源层导电区对应的位置；

对第一型晶体管和第二型晶体管的有源层进行第一型掺杂；

采用挡光层-掺杂复用掩膜板遮挡第一型晶体管的有源层的导电区，对第二型晶体管进行第二型掺杂。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述对第一型晶体管和第二型晶体管的有源层进行第一型掺杂具体包括：

对所述第一型晶体管和第二型晶体管的有源层掺入N型原子，形成N型晶体管；

对所述第二型晶体管的有源层掺入P型原子，形成P型晶体管。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述对第一型晶体管和第二型晶体管的有源层进行第一型掺杂具体包括：

对所述第一型晶体管和第二型晶体管的有源层掺入P型原子，形成P型晶体管；

对所述第二型晶体管的有源层掺入N型原子，形成N型晶体管。

4.如权利要求1-3任一所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层的制备包括以下步骤：采用低压化学气相沉积法沉积非晶硅薄膜，所述非晶硅薄膜在低温下晶化为多晶硅薄膜，以作为有源层；

或采用低压化学气相沉积法直接沉积多晶硅薄膜，以作为有源层。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板包括用于进行显示的显示区域和位于显示区域周边的驱动区域，其中，所述衬底基板的驱动区域设置有第一型晶体管和第二型晶体管，所述衬底基板的显示区域设置有第一型晶体管，其中，各第一型晶体管的有源层的导电区下方具有挡光层。