[发明专利]一种阵列基板及其制备方法，显示面板、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备 

方法，和包括该阵列基板的显示面板、显示装置。 

背景技术

目前，液晶显示技术越来越普遍地应用在生活的各个领域。液晶显示技术通过包括非晶硅a-Si薄膜晶体管液晶显器(Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT LCD)和低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，简称LTPS)液晶显示器TFT LCD。 

现有技术中，由于载流子迁移率的限制，非晶硅薄膜晶体管液晶显示器很难满足轻薄、省电和高画质的要求，而低温多晶硅液晶显示器则具有画面刷新速度快、亮度高和清晰度高等优点，所以，低温多晶硅液晶显示器越来越成为液晶显示器的主流产品。然而，低温多晶硅液晶显示器中阵列基板的制备工艺复杂，通常需要8-10次光刻才能完成，减少掩膜板的数量，降低生产成本，成为各生产厂家迫切的需要。 

随着半导体装置集成度的增加，具有低能量消耗优点的P型晶体管和N型晶体管在低温多晶硅液晶显示器的阵列基板制作中得到广泛的应用。 

如图1和图2所示，典型的具有P型晶体管和N型晶体管的阵列基板的结构如图1和2所示，包括：衬底基板1，设置在衬底基板1上的挡光层2，在挡光层2上方设置缓冲层3，在缓冲层3上方设置N型晶体管和P型晶体管，在显示区域设置有N型晶体管，驱动区域设置有N型晶体管和P型晶体管；其中，各挡光层2位于阵列基板的显示区域的N型晶体管的有源层下方；其中，N型晶体管的有源层从中部向两侧依次包括导电区19和N型晶体管 重掺杂区6，其中，导电区19包括N型晶体管沟道区4、N型晶体管轻掺杂区5；P型晶体管的有源层包括位于中部的P型晶体管沟道区8和位于端部的P型晶体管重掺杂区7。 

在N型晶体管和P型晶体管的有源层上设置的绝缘层9；在绝缘层9上设置的栅极10；在栅极10上方设置的源极12、漏极13，所述的源极12、漏极13分别连接N型晶体管和P型晶体管的两端的重掺杂区；在源极12、漏极13上设有平坦化层14。 

由于N型晶体管的电子迁移率高，通常低温多晶硅液晶显示器的阵列基板的显示区域的晶体管多为N型晶体管。若光线的照射到N型晶体管的有源层，就会在有源层的导电区19（包括N型晶体管沟道区4和N型晶体管轻掺杂区5)产生漏电流，由此会影响在像素电极中充电的像素电压，从而造成显示器的显示特性差（图像质量劣化）。由于显示区域的N型晶体管的光漏电较大，故多用如图1所示的挡光层掩膜板15在显示区域的N型晶体管下面制作一层挡光层2，用于减少光漏电。 

如图1和2所示，由于P型晶体管和N型晶体管具有功耗低，电路简单的优点，通常低温多晶硅液晶显示器的阵列基板的驱动区域的晶体管包括P型晶体管和N型晶体管。其中，所述的驱动区域是指位于液晶显示器周边被边框挡住的区域。而由于驱动区域通常基本不受光照，故其中的N型晶体管处不设置挡光层2。 

其中，在P型晶体管和N型晶体管的制作中需要分别进行N型和P型掺杂才能使P型晶体管和N型晶体管的阈值获得精确调节，从而使P型晶体管和N型晶体管特性较为对称，减少漏电功耗；分别掺杂需要使用如图2所示的掺杂掩膜板16，也就是说，先在不使用掺杂掩膜板16的情况下对全部晶体管的有源区进行掺杂，使其均成为N型，再使用掺杂掩膜板16，挡住除了驱动区域的P型晶体管之外的部分，从而单独对P型晶体管进行掺杂，使之转换为P型。 

综上所述，现有技术完成挡光层2制作和有源层掺杂需要两个掩膜板，因此掩膜板数量相对较多。 

发明内容

本发明的目的是解决现有技术的低温多晶硅液晶显示器制作过程中需要的掩膜板多的问题，提供一种使用掩膜板较少的低温多晶硅液晶显示器的制备方法。 

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：采用挡光层-掺杂复用掩膜板在衬底基板上通过构图工艺形成挡光层的图形；其中，所述挡光层-掺杂复用掩膜板具有对应衬底基板上驱动区域的第一型晶体管的有源层导电区的遮挡部，以及对应衬底基板上显示区域的第一型晶体管的有源层导电区的遮挡部；所述的挡光层形成在与驱动区域的第一型晶体管的有源层导电区对应的位置，以及与显示区域的第一型晶体管的有源层导电区对应的位置； 

对第一型晶体管和第二型晶体管的有源层进行第一型掺杂； 

采用挡光层-掺杂复用掩膜板遮挡第一型晶体管的有源层的导电区，对第二型晶体管进行第二型掺杂。