[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

第1接触插塞，其上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸大；

第1绝缘膜，其形成在所述半导体基板上，覆盖所述第1接触插塞；

第2接触插塞，其下端部接合于所述第1接触插塞的上端部，其上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸小；

第2绝缘膜，其形成在所述第1绝缘膜以及所述第1接触插塞之上，覆盖所述第2接触插塞；

布线层，在其下端部接合有所述第2接触插塞的上端部；和

第3绝缘膜，其形成在所述第2绝缘膜以及所述第2接触插塞之上，覆盖所述布线层，

还具备台阶，该台阶形成在所述第1接触插塞的上端部中的、未被所述第2接触插塞的下端部所覆盖的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具备在所述台阶部分所形成的空气间隙，所述空气间隙的上端的位置比所述第2接触插塞的顶面的位置低。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述空气间隙的下端的位置比所述第1接触插塞的顶面的位置低。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1接触插塞按交错状配置，并且在最接近的所述第1接触插塞之间配置有所述台阶。

5.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

第3接触插塞，其形成在所述半导体基板上，其上端部的直径尺寸比下端部的直径尺寸大；

第2绝缘膜，其覆盖所述第3接触插塞；

布线层，在其下端部接合有所述第3接触插塞的上端部；和

第3绝缘膜，其形成在所述第2绝缘膜以及所述第3接触插塞之上，覆盖所述布线层，

所述第3接触插塞的上端部的直径尺寸比所述布线层的布线宽度尺寸大，

在所述第3接触插塞的上端部的外周的至少一部分形成有空气间隙。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述空气间隙形成在所述第3接触插塞的上端部中的、从所述布线层的下端部超出的部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述空气间隙，在所述布线层延伸的方向上的截面中，形成在所述第3接触插塞的两侧。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第3接触插塞的两侧所形成的空气间隙的底部的位置不同。

9.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

具有势垒金属，该势垒金属形成于所述第3接触插塞的上端部的顶面与所述布线层的下端部的底面之间，

所述势垒金属延伸设置在所述第3接触插塞的上端部中的、被所述布线层的下端部所覆盖的部分的外周。

10.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2绝缘膜具有第1部分(24)和配置在所述第1部分与所述第3接触插塞之间的第2部分(26)，

所述空气间隙形成在所述第3接触插塞的上端部中的、从所述布线层的下端部超出的所述第2部分之上。

11.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板；

第4接触插塞，其形成在所述半导体基板上；

第2绝缘膜，其至少覆盖所述第4接触插塞的一部分的侧面；

布线层，在其下端部接合有所述第4接触插塞的上端部；和

第3绝缘膜，其形成在所述第2绝缘膜以及所述第4接触插塞的上方，

至少形成有一个：使所述第4接触插塞的一个侧面和所述布线层的一个侧面为同一平面而成的平面，

所述半导体装置还具备形成在所述布线层之间的空气间隙。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述第4接触插塞具有上部和下部，在所述布线层延伸的第1方向上的下部的宽度比上部的宽度宽。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述空气间隙使所述第2绝缘膜的内面以及所述第4接触插塞的一部分内面露出。

14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，

所述空气间隙的上端的位置比所述布线层的顶面的位置高。