[发明专利]半导体器件及布局设计系统有效
申请号: | 201410086664.4 | 申请日: | 2014-03-11 |
公开(公告)号: | CN104051360B | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 斋藤琢巳;广井政幸 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L27/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 布局 设计 系统 | ||
1.一种半导体器件,包括:
形成于半导体基板之上的电路设计区;以及
布置于所述电路设计区周围的密封环区,
所述密封环区包括:
第一密封环角部单元和第二密封环角部单元;
与所述第一及第二密封环角部单元耦接的第一密封环和第二密封环;以及
与所述第一及第二密封环耦接的多个第一桥接图形,
所述第一桥接图形具有邻接于所述第一密封环角部单元且包括按第一间距间隔开的预定数量的所述第一桥接图形的第一分组以及位于与所述第一分组相距第二间距之处且包括按所述第一间距间隔开的预定数量的所述第一桥接图形的第二分组,并且
所述第二间距大于所述第一间距。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中所述第一密封环角部单元包括与所述第一密封环及所述第二密封环耦接的第二桥接图形,
其中所述第二桥接图形位于与邻接于所述第二桥接图形而布置的所述第一分组的所述第一桥接图形相距第三间距之处,并且
其中所述第三间距小于所述第二间距。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述第三间距等于所述第一间距。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中所述第一桥接图形还包括布置于所述第二分组与所述第二密封环角部单元之间的第三分组,
其中所述第三分组包括按照所述第一间距间隔开的且位于与所述第二分组相距第四间距之处的预定数量的所述第一桥接图形,并且
其中所述第四间距大于所述第一间距。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中在所述第一密封环角部单元与所述第二密封环角部单元之间的所述第一密封环和所述第二密封环平行于所述半导体基板的一边。
6.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述第一密封环、所述第二密封环、所述第一桥接图形及所述第二桥接图形由布线层和通孔来形成。
7.根据权利要求2所述的半导体器件,其中所述第二间距是邻接的第一桥接图形的中心距离,以及所述第三间距是邻接的第一桥接图形和第二桥接图形的中心距离。
8.根据权利要求4所述的半导体器件,其中所述第二间距和所述第四间距是邻接的第一桥接图形的中心距离。
9.一种半导体器件,包括:
形成于半导体基板之上的电路设计区;以及
布置于所述电路设计区周围的裂纹扩展防止区,
所述裂纹扩展防止区包括:
第一裂纹扩展防止角部单元和第二裂纹扩展防止角部单元;以及
布置于所述第一裂纹扩展防止角部单元与所述第二裂纹扩展防止角部单元之间的多个第一虚拟图形,
所述第一虚拟图形具有邻接于所述第一裂纹扩展防止角部单元且包括按第一间距间隔开的预定数量的所述第一虚拟图形的第一分组以及位于与所述第一分组相距第二间距之处且包括按所述第一间距间隔开的预定数量的所述第一虚拟图形的第二分组,并且
所述第二间距大于所述第一间距。
10.根据权利要求9所述的半导体器件,
其中所述第一裂纹扩展防止角部单元包括邻接于所述第一分组的所述虚拟图形而布置的第二虚拟图形,
其中所述第二虚拟图形位于与邻接于所述第二虚拟图形而布置的所述第一分组的所述第一虚拟图形相距第三间距之处,并且
其中所述第三间距小于所述第二间距。
11.根据权利要求10所述的半导体器件,其中所述第三间距等于所述第一间距。
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