[发明专利]R-T-B类稀土磁体粉末、R-T-B类稀土磁体粉末的制造方法和粘结磁体

权利要求书

1.一种R-T-B类稀土磁体粉末，其特征在于：

含有R、T、B和Al，其中，R为包括Y的一种以上的稀土元素，T为Fe、或Fe和Co，B为硼，Al为铝，

该粉末的平均组成中，R量为12.5at.％以上14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上7.5at.％以下，Al量小于1.0at.％，

该粉末包括含有R₂T₁₄B磁性相的晶粒和晶界相，

晶界相由R、T、B、Al和选自Ga、Zr、Ti、V、Nb、Si、Cr、Mn、Zn、Mo、Hf、W、Ta、Sn中的一种或二种以上的元素构成，其中，R为包括Y的一种以上的稀土元素，T为Fe、或Fe和Co，B为硼，Al为铝，

晶界相的组成中，R量为13.5at.％以上30at.％以下、Al量为1.5at.％以下。

2.一种R-T-B类稀土磁体粉末，其特征在于：

含有R、T、B和Al，其中，R为包括Y的一种以上的稀土元素，T为Fe、或Fe和Co，B为硼，Al为铝，

该粉末的平均组成中，R量为12.5at.％以上14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上7.5at.％以下，Al量小于1.0at.％，

该粉末包括含有R₂T₁₄B磁性相的晶粒和晶界相，

晶界相由R、T、B和Al构成，其中，R为包括Y的一种以上的稀土元素，T为Fe、或Fe和Co，B为硼，Al为铝，

晶界相的组成中，R量为13.5at.％以上30at.％以下、Al量为1.5at.％以下。

3.如权利要求1或2所述的R-T-B类稀土磁体粉末，其特征在于：

R-T-B类稀土磁体粉末还含有Ga和Zr，

该粉末的平均组成中，Co量为10.0at.％以下，Ga量为0.1at.％以上1.0at.％以下，Zr量为0.05at.％以上0.15at.％以下。

4.一种权利要求1所述的R-T-B类稀土磁体粉末的制造方法，其特征在于：

将含有Al、且Al含量小于1.5at.％的R-T-B类稀土磁体粉末在真空或Ar氛围中以670℃以上820℃以下的温度进行30分钟以上300分钟以下的热处理，

所述R-T-B类稀土磁体粉末通过对原料合金进行HDDR处理而获得，所述原料合金由R、T、B、A1和选自Ga、Zr、Ti、V、Nb、Si、Cr、Mn、Zn、Mo、Hf、W、Ta、Sn中的一种或二种以上的元素构成，其中，R为包括Y的一种以上的稀土元素，T为Fe、或Fe和Co，B为硼，Al为铝。

5.一种权利要求2所述的R-T-B类稀土磁体粉末的制造方法，其特征在于：

将含有Al、且Al含量小于1.5at.％的R-T-B类稀土磁体粉末在真空或Ar氛围中以670℃以上820℃以下的温度进行30分钟以上300分钟以下的热处理，

所述R-T-B类稀土磁体粉末通过对原料合金进行HDDR处理而获得，所述原料合金由R、T、B和A1构成，其中，R为包括Y的一种以上的稀土元素，T为Fe、或Fe和Co，B为硼，Al为铝。

6.如权利要求4或5所述的R-T-B类稀土磁体粉末的制造方法，其特征在于：

原料合金的组成中，R量为12.5at.％以上14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上7.5at.％以下，A1量小于1.5at.％。

7.如权利要求4或5所述的R-T-B类稀土磁体粉末的制造方法，其特征在于：

原料合金含有Ga和Zr，

该原料合金的组成中，Co量为10.0at.％以下，Ga量为0.1at.％以上1.0at.％以下，Zr量为0.05at.％以上0.15at.％以下。

8.一种使用权利要求1～3中任一项所述的R-T-B类稀土磁体粉末的粘结磁体。