[发明专利]R-T-B类稀土磁体粉末、R-T-B类稀土磁体粉末的制造方法和粘结磁体

说明书

本发明的目的在于，通过促进在磁性相晶界形成连续的富R晶界相，获得磁粉的矫顽力增大、并且也兼备高的剩余磁通密度的R‑T‑B类稀土磁体粉末。本发明中，通过对HDDR处理所得到的、含Al的R‑T‑B类稀土磁体粉末在真空或Ar氛围中以670℃以上820℃以下的温度进行30分钟以上300分钟以下的热处理，能够促进富R晶界相的形成，得到即使降低Al量也能够具备高矫顽力、且具有高剩余磁通密度的R‑T‑B类稀土磁体粉末。

技术领域

本发明涉及R-T-B类稀土磁体粉末及其制造方法。

背景技术

R-T-B类稀土磁体粉末（R表示稀土元素，T表示以Fe为必须成分的过渡金属，B表示硼）具有优异的磁特性，作为汽车等的各种电动机用磁体在工业上被广泛应用。但是，R-T-B类稀土磁体粉末的磁特性依存于温度的变化大，一旦达到高温，矫顽力就会迅速降低。

已知R-T-B类稀土磁体粉末可以通过对原料合金进行HDDR处理（Hydrogenation-Decomposition-Desorption-Recombination：氢化-相分解-脱氢-再结合）而制造。

在通过HDDR处理制造R-T-B类稀土磁体粉末时，迄今为止，通过使磁体粉末中含有各种元素，促进在磁性相晶体晶界形成连续的富R晶界相，使得磁体粉末的矫顽力增大。但是，一旦不构成磁性相的元素的添加量增加，晶界相的磁化就会降低，因而导致磁体粉末的剩余磁通密度降低。

日本特开平9-165601号记载了通过对在R-T-B类合金中添加有微量Dy的原料进行HDDR处理，得到矫顽力优异的磁体粉末。

日本特开2002-09610号记载了通过在RFeBH_x粉末中混合由Dy氢化物等构成的扩散粉末，进行扩散热处理工序、脱氢工序，得到Dy等在表面和内部扩散、矫顽力优异的磁体粉末。

日本特开2011-49441号中记载了在通过HDDR处理制得的R-Fe-B系磁体粉末中混合含Zn粉末，并进行混合粉碎、扩散热处理、时效热处理，得到Zn在晶界扩散的、矫顽力优异的磁体粉末。

另外，在国际公开第2011/145674号中记载了在通过HDDR处理制得的R-Fe-B系磁体粉末中混合Nd-Cu粉末，并进行热处理扩散，得到Nd-Cu在主相的晶界扩散的、矫顽力优异的磁体粉末。

一直以来对于通过在原料合金中添加Dy的方法、或者在HDDR工序的中途或HDDR工序后使添加元素扩散，以提高磁体粉末的矫顽力进行着研究。然而，一旦不构成磁性相的元素的添加量增加，晶界相的磁化就会降低，因而存在磁体粉末的剩余磁通密度降低的问题。

发明内容

在本发明中，通过抑制不构成磁性相的元素的添加量，得到具有高剩余磁通密度的R-T-B类稀土磁体粉末。另外，本发明的目的在于，通过HDDR处理后的热处理补偿由于抑制为了促进富R相的形成添加的元素的添加量所造成的富R晶界相的形成能力降低，由此制造具有优异的矫顽力和剩余磁通密度的R-T-B类稀土磁体粉末。

即，本发明的R-T-B类稀土磁体粉末的特征在于，该粉末含有R（R：包括Y的一种以上的稀土元素）、T（T：Fe、或Fe和Co）、B（B：硼）和A1（A1：铝），该粉末的平均组成中，R量为12.5at.%以上14.3at.%以下，B量为4.5at.%以上7.5at.%以下，Al量小于1.0at.%，该粉末包括含有R₂T_l4B磁性相的晶粒和晶界相，晶界相含有R（R：包括Y的一种以上的稀土元素）、T（T：Fe、或Fe和Co）、B（B：硼）和Al（A1：铝），晶界相的组成中，R量为13.5at.%以上30at.%以下，Al量为1.5at.%以下（本发明1）。