[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一掩膜层并利用所述第一掩膜层对所述半导体衬底进行刻蚀，以在拟形成隔离LDNMOS的区域、拟形成非隔离LDNMOS的区域以及拟形成LDPMOS的区域分别形成用于容置浅沟槽隔离的沟槽；

步骤S102：在所述半导体衬底上形成在拟形成隔离LDNMOS的区域、拟形成非隔离LDNMOS的区域以及拟形成LDPMOS的区域具有开口的第二掩膜层，通过所述第二掩膜层对所述半导体衬底依次进行三次离子注入，以在所述拟形成隔离LDNMOS的区域、拟形成非隔离LDNMOS的区域以及拟形成LDPMOS的区域均形成包括第一N型掺杂区、第二N型掺杂区和第一P型掺杂区的掺杂结构；

步骤S103：在所述用于容置浅沟槽隔离的沟槽内形成浅沟槽隔离。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述第二掩膜层的开口的一侧暴露出部分所述第一掩膜层。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，在进行第一次离子注入时，所注入的掺杂物包括砷，结深小于所述第一掩膜层的厚度；在进行第二次离子注入时，所注入的掺杂物包括磷；在进行第三次离子注入时，所注入的掺杂物包括硼，并且结深大于所述第一掩膜层的厚度。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括氮化硅，所述第二掩膜层包括光刻胶。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在拟形成隔离LDNMOS的区域的所述掺杂结构中，所述第一N型掺杂区和第二N型掺杂区作为隔离LDNMOS的N型漂移区，所述第一P型掺杂区作为隔离LDNMOS的深P阱。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在拟形成非隔离LDNMOS的区域的所述掺杂结构中，所述第一N型掺杂区和第二N型掺杂区作为非隔离LDNMOS的N型漂移区。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，在形成所述沟槽之前还包括如下步骤：

对所述半导体衬底进行离子注入以在所述半导体衬底的拟形成隔离LDNMOS的区域以及拟形成LDPMOS的区域分别形成深N阱。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104：

在所述拟形成LDPMOS的区域形成N阱；

形成位于所述拟形成隔离LDNMOS的区域内的P阱、位于拟形成非隔离LDNMOS的区域内的P阱以及位于拟形成LDPMOS的区域内的P阱，其中，位于拟形成LDPMOS的区域内的P阱与位于拟形成LDPMOS的区域内的所述第一P型掺杂区相连接。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在拟形成LDPMOS的区域中，所述P阱与所述第一P型掺杂区作为LDPMOS的P型漂移区。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：

形成隔离LDNMOS、非隔离LDNMOS和LDPMOS的栅极、源极和漏极。

11.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：

在所述沟槽内沉积介电材料；

通过化学机械抛光法去除多余的介电材料以形成所述浅沟槽隔离。