[发明专利]荧光体、发光装置及荧光体的制造方法

权利要求书

1.一种荧光体，该荧光体通过在250nm～500nm的波长范围内具有峰值的光的激励而发射在500nm～600nm的波长范围内具有峰值的荧光，并且该荧光体由下式（1）表达：

(M_1-xCe_x)_2yAl_zSi_10-zO_uN_vC_w (1)

其中，

M是包含Sr的金属元素，

x、y、z、u、v和w分别满足以下的条件：

0<x≤1，

0.8≤y≤1.1，

2≤z≤3.5，

0<u≤1.5，

0.01≤w≤0.1，

13≤u+v+w≤15。

2.根据权利要求1的荧光体，其中，M还包含选自包含Ba、Ca和Mg的组的至少一种元素。

3.根据权利要求1的荧光体，其中，Ba、Ca和Mg的量单独地为基于M的总量的10at.%或更少。

4.根据权利要求1的荧光体，所述荧光体具有晶格常数从Sr₂Al₃Si₇ON₁₃的晶格常数改变最多±15%的晶体结构。

5.根据权利要求1的荧光体，所述荧光体具有M-N和M-O的化学键长度分别从Sr₂Al₃Si₇ON₁₃中的Sr-N和Sr-O的化学键长度改变最多±15%的晶体结构。

6.根据权利要求1的荧光体，在根据Bragg-Brendano方法通过Cu-Kα线放射的X射线衍射测量中，在11.1-11.3°、15.0-15.2°、18.25-18.45°、19.75-19.95°、23.0-23.2°、24.85-25.05°、25.55-25.75°、25.95-26.15°、29.3-29.5°、30.9-31.1°、31.6-31.8°、33.0-33.2°、33.6-33.8°、33.95-34.15°、34.35-34.55°、35.2-35.4°、36.05-36.25°、36.5-36.7°、37.2-37.4°、38.95-39.15°、40.45-40.65°、42.8-43.0°、48.3-48.5°、48.75-48.95°、56.4-56.6°、64.45-64.65°、67.55-67.75°和68.85-69.05°的衍射角（2θ）处表现至少10个峰值。

7.一种发光装置，包括：

发光元件，发射在250nm～500nm的波长范围内具有峰值的光；和

发光层，包含根据权利要求1所述的荧光体。

8.根据权利要求7的发光装置，其中，所述发光层还包含绿色发光荧光体和红色发光荧光体。

9.一种用于制造根据权利要求1所述的荧光体的方法，包括以下的步骤：

混合M材料、Al材料、Si材料以及Ce材料从而制备混合物，其中，所述M材料选自包含M的氮化物和碳化物的组，所述Al材料选自包含Al的氮化物、氧化物和碳化物的组，所述Si材料选自包含Si的氮化物、氧化物和碳化物的组，所述Ce材料选自包含Ce的氧化物、氮化物和碳酸盐的组；然后，

烧制所述混合物。

10.根据权利要求9的方法，其中，在1500～2000℃的温度下在5atm或更高的压力下执行所述烧制的步骤。

11.根据权利要求9的方法，其中，在氮气气氛中执行所述烧制的步骤。