[发明专利]荧光体、发光装置及荧光体的制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于在2013年3月18日提交的日本专利申请No.2013-055455并要求其优先的利益，该申请的全部内容通过引用的方式包含于此。

技术领域

本公开的实施方式涉及荧光体、发光装置和荧光体的制造方法。

背景技术

白色发光装置包括例如蓝色LED、通过蓝光的激励而发射红光的荧光体和通过蓝光的激励而发射绿光的另一荧光体的组合。但是，如果包含通过蓝光的激励而发射黄光的荧光体，那么可通过使用更少种类的荧光体来制造白色发光装置。作为黄色发光荧光体，例如，已知Eu激活的正硅酸盐荧光体（orthosilicate phosphor）。

已针对各种应用研究了这些黄色发光荧光体，并且，越来越要求改善荧光体的温度特性、量子效率和它们的发光光谱的半宽度（half-width）。

发明内容

本发明的实施方式的目的在于解决如上的技术问题。

根据实施方式的荧光体通过在250nm～500nm的波长范围内具有峰值的光的激励而发射在500nm～600nm的波长范围内具有峰值的荧光，并该荧光体由下式（1）表达：

(M_1-xCe_x)_2yAl_zSi_10-zO_uN_vC_w (1)

其中，

M是包含Sr的金属元素，

x、y、z、u、v和w分别满足以下的条件：

0<x≤1，

0.8≤y≤1.1,

2≤z≤3.5，

0<u≤1.5，

0.01≤w≤0.1，并且

13≤u+v+w≤15。

根据本实施方式的黄色发光荧光体具有良好的温度特性，并可高度有效地发射在发光光谱中具有宽的半宽度的黄光。该荧光体与放射在400～500nm的波长范围中具有峰值的光的发光元件组合使用，并由此变得能够提供发光性能优异的白色发光装置。

附图说明

图1表示示意性地示出根据实施方式的发光装置的垂直断面图。

图2表示示意性地示出根据另一实施方式的发光装置的垂直断面图。

图3表示由例子1的荧光体给出的XRD图案。

图4表示由例子1的荧光体通过450nm的激励而给出的发光光谱。

图5表示由例子2的荧光体给出的XRD图案。

图6表示由例子3的荧光体给出的XRD图案。

图7表示由例子4的荧光体给出的XRD图案。

图8表示由例子5的荧光体给出的XRD图案。

图9表示由例子1～5和比较例的荧光体通过450nm的激励而给出的发光光谱。

图10表示例子1～5和比较例中通过450nm的激励的碳含量（w）与相对吸收率之间的关系。

图11表示例子1～5和比较例中通过450nm的激励的碳含量（w）与相对量子效率之间的关系。

图12表示例子1～5和比较例中通过450nm的激励的碳含量（w）与相对发光效率之间的关系。

具体实施方式

现在参照附图解释实施方式。

根据实施方式的荧光体通过在250nm～500nm的波长范围内具有峰值的光的激励而发射在500nm～600nm的波长范围内具有峰值的荧光，并该荧光体由下式（1）表达：

(M_1-xCe_x)_2yAl_zSi_10-zO_uN_vC_w (1)

其中，

M是包含Sr的金属元素，

x、y、z、u、v和w分别满足以下的条件：

0<x≤1，

0.8≤y≤1.1,

2≤z≤3.5，

0<u≤1.5，

0.01≤w≤0.1，并且

13≤u+v+w≤15。