[发明专利]具有增强的接触区的三维集成电路装置

权利要求书

1.一种装置，包括：

一基板，包括一上表面以及从该上表面延伸进入该基板中的一凹槽；

该凹槽具有一底部以及多个延伸在该上表面与该底部之间的侧部，这些侧部包括彼此横向被配置的第一侧与第二侧；

一叠层体包括交替叠层的多个有源层及多个绝缘层，覆盖于该基板的该上表面与该凹槽上；

各该有源层具有一上部及一下部，该上部沿着该上表面上面且平行于该上表面的一上平面延伸，而该下部沿着在该底部上面且平行于该底部的一下平面延伸；

各该有源层包括第一朝上延伸部与第二朝上延伸部，沿着该第一侧与该第二侧设置并自它们所属的这些有源层的这些下部延伸；及

多个导电条，与这些有源层的这些第二朝上延伸部邻接。

2.根据权利要求1所述的装置，其中这些导电条包括多个在这些第二朝上延伸部的侧上的侧壁间隙壁。

3.根据权利要求1所述的装置，其中这些第二朝上延伸部是垂直配置于该上表面，而这些第一朝上延伸部是与该上表面夹出向下及向内部倾斜的一锐角。

4.根据权利要求1所述的装置，其中：

该凹槽为一长方形的凹槽，具有与该第一侧相对的一第三侧以及与该第二侧相对的一第四侧；及

该第二侧及该第四侧是垂直配置于该上表面，而该第一侧及该第三侧是被配置与该上表面夹出向下及向内部倾斜的锐角。

5.根据权利要求1所述的装置，其中该上平面及该下平面彼此平行。

6.根据权利要求1所述的装置，其中这些导电条具有下端及上端，这些下端是在该凹槽中，这些上端是通过多个层间导体连接至多个覆盖的导体。

7.根据权利要求6所述的装置，其中至少某些的这些导电条的这些上端是位于相同水平面，该相同水平面是平行于该上表面。

8.根据权利要求6所述的装置，其中这些上端是位于相对于该上表面的不同水平面。

9.根据权利要求6所述的装置，其中这些导电条的这些上端提供多个着陆区给这些层间导体。

10.根据权利要求6所述的装置，其中这些导电条的这些上端及邻接的这些第二朝上延伸部是提供多个着陆区给这些层间导体。

11.根据权利要求1所述的装置，其中这些第一朝上延伸部是连接它们所属的这些有源层的这些上部及这些下部。

12.根据权利要求1所述的装置，其中：

该上表面包括与该凹槽相邻的一阵列区；以及

包括交替叠层的这些有源层及这些绝缘层的该叠层体包括一存储器阵列的多个元件，位于该阵列区。

13.一种用于与一装置的具交替叠层的有源层及绝缘层的叠层体的这些有源层形成电性连接的方法，该方法包括以下步骤：

形成一凹槽在一基板中，该基板包括一上表面，而该凹槽从该上表面延伸进入该基板中，该凹槽具有一底部以及多个延伸在该上表面与该底部之间的侧部，这些侧部包括彼此横向被配置的第一侧与第二侧；

形成包括交替叠层的有源层及绝缘层的一叠层体在该基板的该上表面与该凹槽上面；

该叠层体的形成步骤包括：

形成各该有源层的一上部以沿着一上平面且在该上表面上面并平行于该上表面；及

形成各该有源层的一下部以沿着一下平面且在该底部上面并平行于该底部；以及

形成各该有源层的第一与第二朝上延伸部成为沿着该第一侧与该第二侧被设置，且这些第一与第二朝上延伸部并自它们所属的这些有源层的这些下部延伸；及

在该叠层体形成步骤期间，形成多条导电条，其与这些有源层的这些第二朝上延伸部邻接。

14.根据权利要求13所述的方法，其中该凹槽形成步骤包括：形成该第一侧以作为一向下及向内部倾斜的该第一侧，其被配置与该上表面夹出一锐角。

15.根据权利要求14所述的方法，其中：

该凹槽形成步骤包括：形成垂直配置于该上表面的该第二侧；

这些导电条形成步骤包括：沿着该底部及该凹槽的这些侧部沉积一层的导电材料，且非等向性刻蚀该导电材料；及

选择该倾斜的第一侧的该锐角，以能使该导电材料是在该导电材料的非等向性地刻蚀期间而从沿着该底部与该第一侧被移除，同时沿着该第二侧留下导电材料藉以形成一导电条。