[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的装置，该装置包括：

工艺室，其底部被凹入以在其中形成凹陷，所述工艺室包括：

预超临界工艺区，在其中接收超临界流体；

超临界工艺区，与所述预超临界工艺区流体相通，所述超临界工艺区构造为能够利用所述超临界流体处理其中的基板；

隔板，其被设置在所述凹陷上以覆盖所述凹陷；以及

支撑所述隔板的多个支撑部分，所述多个支撑部分设置在所述凹陷外部，

其中所述预超临界工艺区布置和构造为在所述超临界流体到达所述超临界工艺区之前允许所述超临界流体膨胀，

其中所述预超临界工艺区和所述超临界工艺区由所述隔板彼此分开。

2.如权利要求1所述的装置，其中包含在所述超临界流体中的杂质在所述膨胀期间冷凝或沉积，使得所述杂质的实质部分被限定在所述预超临界工艺区内。

3.如权利要求2所述的装置，其中包含在所述超临界流体中的所述杂质的实质部分附着到限定所述预超临界工艺区的壁。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述隔板在平面图中具有圆形形状。

5.如权利要求4所述的装置，其中所述支撑部分沿着所述隔板的圆周边缘设置，以将所述隔板支撑在所述预超临界工艺区的底表面之上的预定距离，所述支撑部分彼此间隔开。

6.如权利要求5所述的装置，其中台阶区域限定在所述预超临界工艺区和所述超临界工艺区之间，并且其中所述支撑部分设置在所述台阶区域内。

7.如权利要求5所述的装置，其中一个或多个通道由所述隔板、所述预超临界工艺区的表面以及所述支撑部分限定。

8.一种用于处理基板的装置，该装置包括：

工艺室，其底部被凹入以在其中形成凹陷，所述工艺室包括：

预超临界工艺区，构造为容纳提供到其的超临界流体；

超临界工艺区，构造为通过所述预超临界工艺区接收所述超临界流体；

隔板，其被设置在所述凹陷上以覆盖所述凹陷；以及

支撑所述隔板的多个支撑部分，所述多个支撑部分设置在所述凹陷外部，

其中所述超临界工艺区构造为处理所述基板，并且其中所述预超临界工艺区和所述超临界工艺区被所述隔板物理地彼此分开，一个或多个通道被构造在所述预超临界工艺区和所述超临界工艺区之间以在所述预超临界工艺区和所述超临界工艺区之间提供流体相通。

9.如权利要求8所述的装置，其中所述预超临界工艺区具有小于所述超临界工艺区的体积。

10.一种构造为处理基板的系统，该系统包括：

处理装置，包括：

预超临界工艺区，构造为接收提供到其的超临界流体的第一次供给；和

超临界工艺区，构造为接收提供到其的超临界流体的第二次供给，

其中所述超临界工艺区构造为处理所述基板，并且其中所述预超临界工艺区和所述超临界工艺区彼此分开，一个或多个通道被构造在所述预超临界工艺区和所述超临界工艺区之间以在所述预超临界工艺区和所述超临界工艺区之间提供流体相通；以及

供给装置，构造为提供所述超临界流体的第一次和第二次供给到所述处理装置。

11.如权利要求10所述的系统，其中所述供给装置构造为在提供所述超临界流体的所述第二次供给之前提供所述超临界流体的第一次供给。

12.如权利要求10所述的系统，还包括冷凝器和泵，所述冷凝器位于所述泵的上游，其中所述超临界流体经过所述冷凝器和所述泵。

13.如权利要求12所述的系统，其中所述超临界流体的第一次供给在所述超临界工艺区中产生超临界状态，并且其中所述供给装置构造为提供所述超临界流体的第二次供给到处于超临界状态的所述超临界工艺区。