[发明专利]基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法

说明书

本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

技术领域

本发明构思涉及基板处理系统，更具体地，涉及能够进行超临界工艺（supercritical process）的基板处理系统。

背景技术

超临界流体是处于在其临界点之上的温度和压力的任何物质，其中不存在明显的液相和气相。因此，它具有气体和液体的性质。采用超临界流体的超临界工艺可以用于半导体工业中以获得各种优点。例如，超临界工艺可以用于基板干燥工艺、清洗工艺和/或蚀刻工艺。当高压超临界流体被提供到工艺室（process chamber）中时，它可以迅速地膨胀。结果，超临界流体的温度和溶解度会降低，使得包括在超临界流体中的少量杂质会不期望地冷凝或沉积。冷凝或沉积的杂质会再次污染基板。因此，在超临界工艺期间微粒管控会是重要的。

发明内容

本发明构思的实施例可以提供利用超临界流体的基板处理系统以基本上减少污染微粒或杂质。

本发明构思的实施例还可以提供能改善超临界工艺能力的基板处理系统。

本发明构思的实施例还可以提供能够进行超临界工艺并减少超临界流体的性质恶化的基板处理系统。

在一个实施例中，一种用于处理基板的装置包括：预超临界工艺区，在其接收超临界流体；以及超临界工艺区，与预超临界工艺区流体相通，超临界工艺区构造为能够利用超临界流体处理其中的基板。预超临界工艺区布置和构造为在超临界流体到达超临界工艺区之前允许超临界流体膨胀，并且预超临界工艺区和超临界工艺区彼此分开。

根据本发明构思的一个方面，一种基板处理系统可以包括：处理装置，构造为用超临界流体处理基板；和供给装置，构造为提供超临界流体到处理装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在该预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

在一个实施例中，预超临界工艺区可以具有小于超临界工艺区的体积。

处理装置可以包括工艺室，该工艺室具有形成在其中的超临界工艺区和预超临界工艺区。

基板处理系统还可以包括：第一供给管，连接到预超临界工艺区，并构造为将超临界流体从供给装置提供到预超临界工艺区；第二供给管，连接到超临界工艺区，并构造为将超临界流体从供给装置提供到超临界工艺区；以及排放管，连接到预超临界工艺区，并构造为将污染的超临界流体从工艺室排放。

在另一个实施例中，基板处理系统可以包括：第一管，连接到预超临界工艺区以从供给装置提供超临界流体到预超临界工艺区中以及从工艺室排放污染的超临界流体；以及第二管，连接到超临界工艺区以从供给装置提供超临界流体到超临界工艺区中。

在另一个实施例中，基板处理系统可以包括：供给管，连接到预超临界工艺区以从供给装置提供超临界流体到工艺室；以及排放管，连接到预超临界工艺区以将污染的超临界流体从工艺室排放。

超临界工艺区可以包括：顶表面和底表面，彼此面对；以及侧壁，连接在顶表面和底表面之间。超临界工艺区的顶表面、底表面和侧壁中的一个或多个的一部分可以凹陷以限定预超临界工艺区。

在一个实施例中，超临界工艺区的底表面的一部分可以凹陷以限定预超临界工艺区。工艺室还可以包括：多个支撑部分，设置在底表面上；以及隔板，设置在支撑部分上且与底表面间隔开，其中隔板将工艺室的内部区域分成预超临界工艺区和超临界工艺区。