[发明专利]一种高电源抑制比基准电压源

权利要求书

1.一种高电源抑制比基准电压源，其特征在于，

包括带隙核心电路，为所述带隙核心电路供电高电源抑制比的非精确参考电压源和偏置电路，以及电压按比例放大器；

所述电压按比例放大器利用所述高电源抑制比的非精确参考电压源生成一较稳定具有驱动能力的电压源，为所述带隙核心电路供电；

所述带隙核心电路采用放大器和共源共栅结构给三极管提供电流。

2.根据权利要求1所述一种高电源抑制比基准电压源，其特征在于，   所述高电源抑制比的非精确参考电压源和偏置电路包括：p1, p2,p3,p4,p5,p6,p7,p8,n1,n2,n3,n4,R10,R11,Q3,C1，其中，p1,p2,p3,p5,p7的源极接电源VDD，电容C1的A端与p1的漏极，p2的栅极相连，p1的栅极与p3的栅极，p5的栅极，p7的栅极，R8的A端相连，p3的漏极与p4的源极相连，p5的漏极与p6的源极相连，p4的栅极与p6的栅极，p8的栅极，R8的B端相连。

3.p2的漏极与p4的漏极，n1的栅极，n3的栅极，R9的A端相连，n2的栅极与n4的栅极，R9的B端相连，n4的源极与R10的A端相连，p8的源极与p7的漏极相连，p8的漏极与R11的A端相连，Q3的射极与R11的B端相连，n2的源极，C1的另一端，R10的B端，Q3的基极与Q3的集电极，与地相连。

4.根据权利要求1所述一种高电源抑制比基准电压源，其特征在于，所述电压按比例放大器，包括：p9 ,p10, n7, n8, n9,p13, p12,p11,n5, n6,R7, C2,R6,R5，其中，p9的栅极与p7的栅极相连，p10的栅极与p8的栅极相连，p9的源极，p11的源极，p12的源极，p13的源极，与VDD相连，p10的漏极，n7的栅极，n8的栅极与n7的漏极相连，n5的栅极与R11的A端相连，n5的源极，n6的源极与n8的漏极相连，n5的漏极，p11的漏极，p13的栅极与R7的A端相连，p11的栅极，p12的栅极，p12的漏极，与n6的漏极相连，p13的漏极，n9的漏极，R6的A端，与C2的右端相连，n6的栅极，R5的A端，与R6的B端相连，n7的源端，n8的源端，n9的源端，R5的B端与地相连，p9的源端，p11的源端，p12的源端，p13的源端与电源VDD相连。

5.根据权利要求1所述一种高电源抑制比基准电压源，其特征在于，   所述带隙核心电路，包括：p14, p19, p16, p17, p18, p21, C3, n10, n11, Q1,Q2,R1,R2,R3,和普通两级运放A2，其中，p14的源极，p16的源极，p17的源极，p21的源极，p18的源极与R6的A端相连，p14的漏极与p19的源极相连，p14的栅极，p16的栅极，与运放A2的输出端相连，p19的栅极，p17的栅极，p17的漏极，n11的漏极与p18的栅极相连，p19的漏极，p21的漏极，R1的A端，R2的A端，与p21的漏极相连，R1的B端，Q1的射极与运放A2的负向端相连，R2的B端，R3的A端与运放A2的正向端相连，R3的B端与Q2的发射极相连，p16的漏极，n10的漏极，n10的栅极，与n11的栅极相连，C3的A端，p21的栅极，与p18的漏极相连，Q1的基极，Q1的集电极，Q2的基极，Q2的集电极，n10的源极，n11的源极，C3的B极与地相连。

6.根据权利要求4所述一种高电源抑制比基准电压源，其特征在于，所述带隙核心电路，p16，n10，n11，p17，p19组成了自偏置共源共栅电流漏，使得流过两个三极管支路的电流受电源电压的影响更小，进而使得到的基准电压更稳定，p18，p21，C3组成的启动电路使得上电之后带隙核心电路能够顺利启动。