[发明专利]包含接触结构有形成于接触蚀刻中止层之侧壁上之保护层的半导体装置

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包含：

提供包含一接触区的一装置结构；

形成一电介质蚀刻中止层于该接触区上面；

形成一电介质层于该蚀刻中止层上面；

蚀刻进入该电介质层的一开口；

通过该开口蚀刻该蚀刻中止层以在该开口的底部暴露该接触区；以及

进行一溅镀制程以从该接触区移除材料以及再沉积被移除的该材料于该开口的侧壁上。

2.如权利要求1所述的方法，其更包括：在进行该溅镀制程后，进行一湿化学清洗制程。

3.如权利要求1所述的方法，其更包括：用一导电接触材料填充该开口。

4.如权利要求3所述的方法，其中，在该溅镀制程中，在该蚀刻中止层的暴露侧壁上形成一保护层。

5.如权利要求3所述的方法，其中该导电接触材料包含钨。

6.如权利要求4所述的方法，其更包括：形成一阻障层于该保护层上。

7.如权利要求4所述的方法，其中该接触区及该保护层包含一金属硅化物。

8.如权利要求1所述的方法，其中该装置结构为一场效晶体管，而该接触区设于该场效晶体管的源极区、漏极区及栅极电极中的至少一者中。

9.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻中止层包含带应变氮化硅。

10.如权利要求1所述的方法，其中该蚀刻中止层包含1吉帕斯卡或更多的一本征应变。

11.一种制造半导体装置的方法，包含：

形成一硅化物区；

形成一蚀刻中止层于该硅化物区上面；

形成一电介质层于该蚀刻中止层上面；

使用该蚀刻中止层蚀刻进入该电介质层的一开口；

通过该开口蚀刻该蚀刻中止层以暴露该硅化物区；以及

进行一重新分配制程用以再沉积从该硅化物区在该开口的侧壁处移除的硅化物材料，以至少在该蚀刻中止层的暴露侧壁上形成一硅化物层。

12.如权利要求11所述的方法，其更包括：在进行该重新分配制程后，进行一湿化学清洗制程。

13.如权利要求11所述的方法，其中该重新分配制程为一溅镀制程。

14.如权利要求11所述的方法，其更包括：用一导电接触材料填充该开口。

15.一种半导体装置，包含：

一硅化物区，至少部份配置于一半导体层中，该硅化物区提供一接触区；

一蚀刻中止层，配置于该半导体层上面；

一电介质层，配置于该蚀刻中止层上面；

一接触结构，包含一导电接触材料，该接触结构形成于该电介质层中及该蚀刻中止层中而且延伸至该硅化物区；以及

一硅化物层，至少配置于该蚀刻中止层的一侧壁与该接触结构之间，其中该硅化物层覆盖该蚀刻中止层的至少全部侧壁。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其中该硅化物层实质配置于开口的下部。

17.如权利要求16所述的半导体装置，其中形成于该蚀刻中止层的该侧壁上的该硅化物层具有1奈米或更多的厚度。

18.如权利要求15所述的半导体装置，其中该蚀刻中止层包含一带应变氮化硅材料，其中该氮化硅材料包含有1吉帕斯卡或更多的一本征应变。

19.如权利要求18所述的半导体装置，其中该接触结构更包含配置于该硅化物层与该导电接触材料之间的一阻障层。

20.如权利要求15所述的半导体装置，其中该半导体装置包含一场效晶体管，而该硅化物区为该场效晶体管的源极区及漏极区中的至少一者。