[发明专利]半导体封装和封装半导体装置的方法

权利要求书

1.一种用于形成半导体封装的方法，其包含：

提供具有第一和第二主表面的封装衬底，其中所述封装衬底包含具有成型材料的基座衬底和多个互连结构，所述互连结构包括延伸穿过所述封装衬底的所述第一主表面到所述第二主表面的通孔触点，其中所述提供的封装衬底包括

提供具有第一、第二和第三导电层的导电载体，其中所述第一导电层经图案化用于界定界定封装衬底的通孔触点，多个空腔和当图案化第一导电层时，作为刻蚀停止层的第二导电层的图案；以及

用成型材料填充所述空腔以形成所述封装衬底的基座衬底；

形成所述封装衬底的其它互连层，所述其它互连层包含通过图案化第二和第三导电层形成多个直接耦接到所述通孔触点的导电螺柱，其中所述导电螺柱的宽度小于所述通孔触点的宽度，并且，所述导电螺柱在所述通孔触点内形成，且不超出所述通孔触点的宽度；

提供在其第一或第二表面上具有导电触点的裸片，其中所述裸片的所述导电触点电耦接到所述互连结构；以及

在所述封装衬底上形成封盖以包封所述裸片。

2.根据权利要求1所述的方法，其包含形成导电迹线，所述导电迹线耦接到所述导电螺柱，其中所述通孔触点、导电螺柱和导电迹线形成所述互连结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述导电迹线通过镀覆形成。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述导电迹线从所述裸片下延伸至所述裸片的周边区域。

5.根据权利要求1所述的方法，其中包含提供与所述导电触点直接接触的介电层，且所述介电层部分覆盖所述导电触点。

6.根据权利要求1所述的方法，其中导电螺柱在封装衬底的周边上形成，使得导电螺柱的侧表面暴露。

7.根据权利要求1所述的方法，其中第一导电层通过掩模，和蚀刻去除第一导电层未被掩模保护的部分实现图案化。

8.根据权利要求1所述的方法，其中成型材料的过量部分在所述通孔触点的顶面上形成，且从导电载体的一个表面去除所述成型材料的过量部分，使得所述通孔触点顶面的暴露。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述空腔通过传递成型、打印、膜辅助成型或压缩成型技术被成型材料填充。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电螺柱形成于通孔触点的中心处。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二和第三导电层通过镀覆形成，所述第二导电层包含不同于第一和第三导电层的材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二导电层包括镍，所述第一和第三导电层包括铜。

13.根据权利要求1所述的方法，其中图案化所述第二和第三导电层包括第一和第二蚀刻工艺。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一蚀刻工艺去除所述第三导电层的部分，并停止在所述第二导电层，所述第二蚀刻工艺去除第二导电层的部分，并所述通孔触点的顶表面和所述成型材料界定的表面。

15.根据权利要求1所述的方法，其提供覆盖和填充所述导电螺柱之间空间的绝缘层，其中所述绝缘层部分覆盖和接触所述通孔触点的顶面。

16.根据权利要求15所述的方法，其包含形成导电迹线，所述导电迹线耦接到所述导电螺柱且从所述导电螺柱的侧表面延伸。

17.根据权利要求16所述的方法，所述导电迹线在所述绝缘层的顶表面上形成。

18.根据权利要求17所述的方法，所述导电迹线从所述导电螺柱的侧表面延伸，并超出所述导电螺柱的宽度。

19.根据权利要求18所述的方法，所述封盖直接接触所述导电迹线的顶表面。

20.根据权利要求15所述的方法，导电迹线的顶表面与所述绝缘层的顶表面齐平。

21.根据权利要求20所述的方法，所述绝缘层和所述成型材料包括不同的介电材料。

22.根据权利要求21所述的方法，所述绝缘层包括焊接掩膜和无机绝缘膜，所述成型材料包括环氧树脂材料。