[发明专利]自旋阀磁电阻传感器材料结构在审
| 申请号： | 201410092923.4 | 申请日： | 2014-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN103915563A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 周仕明;刘兹伟;顾云飞 | 申请（专利权）人： | 盐城彤晖磁电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G01R33/09 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 自旋 磁电 传感器 材料 结构 | ||
【权利要求书】：
1.自旋阀磁电阻传感器材料结构，其特征在于：包括：硅衬底层(1)，设置在硅衬底层(1)上的稀土材料(SmCo5)层(2)，设置在稀土材料(SmCo5)层(2)上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层(3)。
2.按照权利要求1所述的自旋阀磁电阻传感器材料结构，其特征在于：所述硅衬底层(1)和稀土材料(SmCo5)层(2)之间设置有Cr缓冲层(4)。
3.按照权利要求2所述的自旋阀磁电阻传感器材料结构，其特征在于：所述的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层(3)中的铁磁层为钴镍合金。
4.按照权利要求3所述的自旋阀磁电阻传感器材料结构，其特征在于：所述的硅衬底层(1)下面和所述铁磁/Cu/铁磁三明治夹层(3)上面都设置有Cr防腐层(5)。
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