[发明专利]自旋阀磁电阻传感器材料结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种磁电子传感器领域，尤其涉及一种自旋阀磁电阻传感器材料结构。

背景技术

巨磁电阻材料在传感器材料、物联网技术、磁记录技术领域有巨大的潜在价值，是国际上最前沿的研究课题之一。早期人们主要利用铁磁(FM)/反铁磁(AFM)双层膜系统，其中反铁磁主要用钉扎作用，正是这一物理现象才使得磁电子学器件应运而生。事实上，人们也可以利用具有高矫顽力的材料来替代反铁磁材料，其中稀土永磁尤其理想，相比于其它的高矫顽力材料，稀土薄膜制备工艺比较简单，尤为重要的是，稀土资源丰富，因此，利用稀土永磁薄膜对于稀土的开发利用意义重大。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种使用成本低的自旋阀磁电阻传感器材料结构。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：自旋阀磁电阻传感器材料结构，包括：硅衬底层，设置在硅衬底层上的稀土材料(SmCo5)层，设置在稀土材料(SmCo5)层上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层。

为了更好地解决上述技术问题，本发明采用的进一步技术方案是：所述硅衬底层和稀土材料(SmCo5)层之间设置有Cr缓冲层。

为了更好地解决上述技术问题，本发明采用的进一步技术方案是：所述的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层中的铁磁层为钴镍合金。

为了更好地解决上述技术问题，本发明采用的进一步技术方案是：所述的硅衬底层下面和所述铁磁/Cu/铁磁三明治夹层上面都设置有Cr防腐层。

本发明的优点是：上述自旋阀磁电阻传感器材料结构，用稀土永磁材料替代传统反铁磁材料，充分利用了丰富的稀土资源，使用成本较低，同时保持较好的磁电阻效应，在室温附近很宽的温度范围内保持磁电阻效应基本不变。

附图说明

图1为本发明自旋阀磁电阻传感器材料结构的剖视结构示意图。

图中：1、硅衬底层，2、稀土材料(SmCo5)层，3、铁磁/Cu/铁磁三明治夹层，4、Cr缓冲层，5、Cr防腐层。

具体实施方式：

下面结合附图和具体实施例详细描述一下本发明的具体内容。

如图1所示，自旋阀磁电阻传感器材料结构，包括：硅衬底层1，设置在硅衬底层1上的稀土材料(SmCo5)层2，设置在稀土材料(SmCo5)层2上的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层3。

在本实施例中，所述硅衬底层1和稀土材料(SmCo5)层2之间设置有Cr缓冲层4。所述的铁磁/Cu/铁磁三明治夹层3中的铁磁层为钴镍合金。4、按照权利要求3所述的自旋阀磁电阻传感器材料结构，其特征在于：所述的硅衬底层1下面和所述铁磁/Cu/铁磁三明治夹层3上面都设置有Cr防腐层5。

上述自旋阀磁电阻传感器材料结构，用稀土永磁材料替代传统反铁磁材料，充分利用了丰富的稀土资源，使用成本较低，同时保持较好的磁电阻效应，在室温附近很宽的温度范围内保持磁电阻效应基本不变。