[发明专利]半导体封装和封装半导体装置的方法

权利要求书

1.一种封装衬底，其包含：

具有第一主表面和第二主表面的基座衬底以及多个通孔触点，所述多个通孔触点延伸穿过所述基座衬底的第一主表面至第二主表面；

第一导电层，所述第一导电层设置于所述基座衬底的第一主表面和所述通孔触点之上并与所述第一主表面直接接触，其中所述第一导电层包括多个开口，所述多个开口经配置以匹配所述封装衬底的导电迹线布局；以及

设置于所述第一导电层上面的导电迹线，其中所述导电迹线通过所述第一导电层的所述开口中的一些直接耦接到所述通孔触点。

2.根据权利要求1所述的封装衬底，其中

所述通孔触点和所述导电迹线包含第一导电材料；并且

所述第一导电层包含第二导电材料，且所述第二导电材料与所述第一导电材料不同，其中所述第二导电材料包括在所述第一导电层和所述通孔触点之间提供刻蚀选择的材料。

3.根据权利要求2所述的封装衬底，其中所述第一导电材料包含铜并且所述第二导电材料包含镍，并且所述导电迹线的底表面仅与所述第一导电层直接接触；或所述导电迹线的底表面仅与所述第一导电层和所述通孔触点直接接触。

4.根据权利要求1所述的封装衬底，其中所述第一导电层内的所述多个开口包括第一类开口和第二类开口，其中第一类开口设置于通孔区域内，第二类开口设置于非通孔区域内。

5.一种半导体封装，其包含：

具有第一主表面和第二主表面的封装衬底，其中所述封装衬底包含基座衬底以及多个通孔触点，所述多个通孔触点延伸穿过所述封装衬底的第一主表面至第二主表面；

第一导电层，所述第一导电层设置于所述封装衬底的基座衬底和所述通孔触点之上并与所述基座衬底直接接触，其中所述第一导电层包括第一类开口和第二类开口，所述第一类开口和第二类开口经配置以匹配所述封装衬底的导电迹线布局；

设置于所述第一导电层上面的导电迹线，其中所述导电迹线通过所述第一导电层的第一类开口直接耦接到所述通孔触点；

设置于所述封装衬底的裸片区上的裸片，在所述裸片的第一或第二表面上具有导电触点，其中所述裸片的所述导电触点电耦接到所述导电迹线；以及

设置于所述封装衬底上以包封所述裸片的封盖。

6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中：

所述通孔触点和所述导电迹线包含第一导电材料；并且

所述第一导电层包含第二导电材料，且所述第二导电材料与所述第一导电材料不同。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中所述第一导电材料包含铜并且所述第二导电材料包含镍。

8.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述基座衬底包括第一和第二表面，其中所述基座衬底的所述第一表面包括突起，且所述突起部分地占据所述第一导电层的第二类开口。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其包含设置于所述导电迹线上的介电层，其中所述介电层隔离所述导电迹线。

10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中：

所述介电层在所述封装衬底的非裸片区中包括开口；并且

所述封盖包括第一和第二主表面，其中所述封盖的第二主表面包括突起，所述突起占据所述介电层的开口。

11.根据权利要求9所述的半导体封装，其中所述介电层设置于所述封装衬底的裸片区中的导电迹线上。

12.一种用于形成半导体封装的方法，其包含：

提供具有第一和第二表面的导电载体；

在所述导电载体的第一表面上面形成第一导电层，所述第一导电层具有第一类开口和第二类开口，其中所述第一类开口形成在封装衬底的通孔触点区域上，所述第二类开口形成在封装衬底的非通孔触点区域上；

在所述第一导电层上面形成导电迹线；

将裸片安装在所述导电载体的第一表面上，所述裸片耦接到所述导电迹线；

用封盖包封所述裸片；

处理所述导电载体的所述第二表面以在通孔触点区域形成所述封装衬底的通孔触点，其中所述第一导电层作为位于非通孔触点区域的导电迹线在形成通孔触点的过程时的保护层，并且所述导电迹线通过所述第一导电层的第一类开口直接耦接到所述通孔触点；以及

形成填充所述通孔触点之间的空间的绝缘层，从而形成所述封装衬底的基座衬底。