[发明专利]包括电容器结构的电子设备及其形成工艺

权利要求书

1.一种电子设备，包括：

掩埋的导电区域；

半导体层，具有主表面和相反的表面，其中所述掩埋的导电区域布置成相比所述主表面来说更靠近所述相反的表面，并且所述半导体层限定具有侧壁并且与所述主表面相邻并且朝着所述掩埋的导电区域延伸的沟槽；

水平定向的掺杂区域，与所述主表面相邻，其中所述水平定向的掺杂区域是晶体管结构的漏极区域或者集电极的至少部分；

第一绝缘层，覆盖在所述水平定向的掺杂区域上；

导电电极，覆盖在所述第一绝缘层上；

电容器结构，包括：

第一电容器电极，包括与所述沟槽的所述侧壁相邻并且朝着所述掩埋的导电区域延伸的垂直导电区域，其中所述垂直导电区域电连接到所述水平定向的掺杂区域和所述掩埋的导电区域；

电容器介电层；以及

第二电容器电极，位于所述沟槽中，

其中所述电容器结构与所述导电电极隔开并且不位于所述导电电极下面。

2.如权利要求1所述的电子设备，其中：

所述第一电容器电极位于所述电容器介电层与所述沟槽的所述侧壁之间；并且

所述第一电容器电极与所述沟槽的所述侧壁邻接。

3.如权利要求1所述的电子设备，其中所述电容器介电层包括氮化物膜。

4.如权利要求3所述的电子设备，其中所述电容器介电层还包括位于所述第一电容器电极和所述氮化物膜之间的氧化物膜。

5.如权利要求1至4中任何一项所述的电子设备，其中：

所述导电电极具有位于沿第一平面的第一部分和具有与所述第一平面垂直的高度的第二部分；并且

所述第二电容器电极具有位于比所述导电电极的所述第一部分的最高高度更高的高度的最上面位置。

6.如权利要求5所述的电子设备，其中同一个导电栓塞邻接所述第二电容器电极及所述导电电极的所述第二部分。

7.一种电子设备，包括：

掩埋的导电区域；

半导体层，具有主表面和相反的表面，其中：

所述掩埋的导电区域布置成相比所述主表面来说更靠近所述相反的表面；

所述半导体层限定具有侧壁的第一沟槽；并且

所述第一沟槽与所述主表面相邻并且朝着所述掩埋的导电区域延伸；

第一晶体管结构，包括与所述主表面相邻的第一水平定向的掺杂区域，其中所述第一水平定向的掺杂区域是第一晶体管结构的漏极区域或者集电极的至少部分；

第一垂直导电区域，电连接到所述第一水平定向的掺杂区域和所述掩埋的导电区域；

第一沟槽电容器结构，包括：

包括所述第一垂直导电区域的第一电容器电极；

位于所述第一沟槽中的电容器介电层；以及

位于所述第一沟槽中的第二电容器电极；

第二晶体管结构，包括与所述主表面相邻的第二水平定向的掺杂区域；以及

第二垂直导电区域，电连接到所述第二水平定向的掺杂区域和所述掩埋的导电区域，

其中所述第二垂直导电区域不是具有电容器介电层的任何沟槽电容器结构的部分。

8.一种形成电子设备的方法，包括：

提供工件，该工件包括掩埋的导电区域以及位于所述掩埋的导电区域之上的半导体层，其中所述半导体层具有主表面和相反的表面，并且其中所述掩埋的导电区域布置成相比所述主表面来说更靠近所述相反的表面；

形成与所述主表面相邻的水平定向的掺杂区域，其中所述水平定向的掺杂区域是晶体管结构的漏极区域或者集电极的至少部分；

形成所述晶体管结构的栅极电极；以及

在形成所述栅极电极之后形成沟槽电容器结构，其中所述沟槽电容器电连接到所述掩埋的导电区域及所述晶体管结构的漏极区域或者集电极区域。

9.如权利要求8所述的方法，还包括形成与所述主表面相邻的导电电极，其中形成所述栅极电极是在形成所述导电电极之后执行的。

10.如权利要求8或9所述的方法，其中形成所述沟槽电容器结构包括：

构图所述半导体层，以限定与所述主表面相邻并且朝着所述掩埋的导电区域延伸的沟槽；

在所述沟槽中形成电容器介电层；以及

在形成所述电容器介电层之后在所述沟槽中形成第一电容器电极。