[发明专利]包括电容器结构的电子设备及其形成工艺

说明书

本发明涉及包括电容器结构的电子设备及其形成工艺。电子设备可以包括电容器结构。在一种实施例中，该电子设备可以包括掩埋的导电区域、具有主表面的半导体层、与该主表面相邻的水平定向的掺杂区域、覆盖在水平定向的掺杂区域上的绝缘层以及覆盖在绝缘层上的导电电极。电容器结构可以包括第一电容器电极，该第一电容器电极包括电连接到水平定向的掺杂区域和掩埋的导电区域的垂直导电区域。电容器结构还可以包括电容器介电层及位于沟槽中的第二电容器电极。电容器结构可以与导电电极隔开。在另一种实施例中，电子设备可以包括第一晶体管、沟槽电容器结构及第二晶体管，其中第一晶体管耦合到沟槽电容器结构，而第二晶体管不具有对应的沟槽电容器结构。

技术领域

本公开内容涉及电子设备及形成电子设备的工艺，而且更具体地说，涉及包括电容器结构的电子设备及形成这种电子设备的工艺。

背景技术

绝缘栅场效应晶体管（IGFET）是一种可以用在电源切换电路中的常见晶体管类型。IGFET包括源极区域、漏极区域、在源极和漏极区域之间延伸的沟道区域，以及与沟道区域相邻的栅极结构。栅极结构包括布置成与沟道区域相邻并且通过栅极介电层与其隔开的栅极电极。

IGFET可以在电源切换电路中使用。在使用切换电路时进行切换操作期间，电压过冲、电压下冲、振铃（ringing）或者其它不利状况会影响电源切换电路输出端子的电压。输出电容器可以帮助减小切换操作期间这种电压摆动的严重性。输出电容器的持续改进以及到工艺流程中的整合是期望的。

附图说明

实施例是通过例子说明的而且不受附图的限制。

图1包括工件一部分的横截面视图的图示，该工件包括掩埋的导电区域、掩埋的绝缘层、半导体层和介电层。

图2包括在形成水平定向的掺杂区域和resurf（降低表面电场）区域之后图1工件的横截面视图的图示。

图3包括在形成绝缘层和导电层之后图2工件的横截面视图的图示。

图4包括在形成绝缘构件、给导电层构图以便形成构图的导电层并且形成绝缘侧壁隔离件和深体掺杂区域之后图3工件的横截面视图的图示。

图5包括在形成主体区域、栅极电极、绝缘层和源极区域之后图4工件的横截面视图的图示。

图6和7包括在形成ILD层、给ILD层和绝缘层构图以便限定开口并且在开口中形成导电电极构件之后图5工件的横截面视图的图示。

图8和9分别包括在形成绝缘隔离件并给层构图以便限定延伸到掩埋的导电区域的沟槽之后图6和7工件的横截面视图的图示。

图10和11分别包括在沟槽中形成垂直导电结构之后图8和9工件的横截面视图的图示。

图12和13分别包括在形成电容器介电层和电容器电极之后图10和11工件的横截面视图的图示。

图14和15分别包括在形成另一个ILD层之后图12和13工件的横截面视图的图示。

图16和17分别包括在给层构图以便在栅极电极、导电电极构件和电容器电极之上限定接触开口之后图14和15工件的横截面视图的图示。

图18和19分别包括在给层构图以便限定到主体区域的开口并且沿着开口底部到主体区域形成重掺杂区域之后图16和17工件的横截面视图的图示。

图20和21分别包括在形成导电栓塞之后图18和19工件的横截面视图的图示。

图22和23分别包括在形成用于晶体管和电容器结构的第一级互连之后图20和21工件的横截面视图的图示。

图24包括根据一种备选实施例的工件一部分的横截面视图的图示，其中单个导电栓塞把导电电极构件和电容器电极彼此电连接。