[发明专利]一种方块电阻的测量方法

说明书

技术领域

本发明涉及方块电阻测量领域，尤其涉及一种方块电阻的测量方法。

背景技术

碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料由于具有高迁移率，高透过率等优点，被认为是下一代半导体材料和透明导电薄膜材料的首选，受到越来越多的关注。

但将碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料应用在量产中，需要实现简单、快速、准确的检测，以保证产品特性。由于碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料形成的导电薄膜很薄，一般只有0.35nm左右，因此不能用传统的四探针法测量其方块电阻，需要使用非接触式的方块电阻测量设备测量其方块电阻，然而使用非接触式的方块电阻测量设备进行方块电阻的测量，增加了采购设备的成本，并且碳纳米管、富勒烯和石墨烯等纳米碳材料应用在量产中，一般会进行图案化处理，很有必要评价经过图案化处理后的方块电阻是否受到影响，因此，提供一种快速、准确的测量方块电阻的方法，势在必行。

发明内容

本发明的目的是提供一种方块电阻的测量方法，以快速准确的测量方块电阻。

一方面，提供一种方块电阻的测量方法，包括：

设置搭桥图形和至少一对电极，其中，所述搭桥图形的材料为待测试材料，每对电极中包括相互不连通的两块电极，并通过所述搭桥图形连接；

测量每对电极中两块电极之间的电阻，并根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻。

本发明提供的方块电阻的测量方法，通过搭桥图形将相互不连通的两块电极连接，通过测量两块电极之间的电阻，确定方块电阻，无需使用非接触式测量设备进行方块电阻的测量，即可快速的测量得到例如石墨烯、纳米材料等形成的导电薄膜的方块电阻，将本发明实施例提供的方块电阻的测量方法导入量产，可以在工艺流程过程中快速检测每片基板中待测量薄膜的方块电阻，及时发现电阻异常甚至断线等不良情况并返工，可以提高良率，降低成本。

较佳的，分别将每对电极中的两块电极通过搭桥图形进行连接之后，该方法还包括：

形成覆盖所述电极与所述搭桥图形的保护层；

对所述保护层在对应各电极的位置处进行过孔工艺，并分别形成暴露相应电极的过孔；

所述测量每对电极中两块电极之间的电阻，具体包括：

通过所述过孔测量每对电极中两块电极之间的电阻。

本发明中形成覆盖所述电极与所述搭桥图形的保护层，能够对电极以及石墨烯形成的搭桥进行保护，防止发生氧化反应或者发生磕碰等，造成搭桥图形发生变化，影响测量结果，以提高测量精度。

进一步的，本发明实施例中暴露各电极的过孔大小相同，且各过孔暴露的电极的位置相对电极被搭桥图形连接一侧边缘的距离相等，以将电极电阻抵消，提高测量精度。

较佳的，本发明实施例中所述电极为金属电极，以提高测量精度。

进一步的，本发明实施例中，所述金属电极的材料为金、铂金或银，设置的金属电极的对数为一对，以简化测量过程。

较佳的，所述根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻，具体包括：

当所述搭桥图形为具有设定长度和宽度的规则几何图形时；

按照公式Rs=R*d/L，确定连接每对金属电极的搭桥图形的方块电阻；

对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为方块电阻；

其中，Rs为搭桥图形的方块电阻，R为每对金属电极中两块金属电极之间测量得到的电阻，d为连接每对金属电极的搭桥图形的宽度，L为位于两块金属电极之间的搭桥图形的长度。

具体的，本发明实施例中对确定得到的搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为方块电阻，能够进一步提高方块电阻的计算精度。

较佳的，本发明实施例中所述金属电极的材料为钼、铝、钕、铜或金属合金，设置的金属电极的对数为至少两对，以使电极的材料可以选用制作显示面板中用到的材料，简化工艺。

进一步的，本发明实施例中设置的金属电极的对数为两对。

较佳的，所述根据测量得到的电阻以及搭桥图形的形状，确定所述待测试材料的方块电阻，具体包括：

当所述搭桥图形为具有设定长度和宽度的规则几何图形，且各搭桥图形位于两块金属电极之间的长度不等时；

按照公式分别确定每两对金属电极的搭桥图形的方块电阻；

对确定得到搭桥图形的方块电阻进行求平均运算，并将得到的平均值作为石墨烯的方块电阻；