[发明专利]编程列串扰在线检测方法有效
申请号: | 201410097546.3 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN103839850A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
发明(设计)人: | 张琳;李志国;黄飞;程凯 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 编程 列串扰 在线 检测 方法 | ||
1.一种编程列串扰在线检测方法,包括:
提供一晶圆,所述晶圆上具有自对准分栅闪存单元;
在线检测所述自对准分栅闪存单元的特定参数;
将所述特定参数与一标准范围进行比较,根据比较结果判断所述自对准分栅闪存单元是否有编程列串扰问题。
2.如权利要求1所述的编程列串扰在线检测方法,其特征在于,所述特定参数为所述自对准分栅闪存单元的字线厚度。
3.如权利要求2所述的编程列串扰在线检测方法,其特征在于,所述将所述特定参数与一标准范围进行比较,根据比较结果判断所述自对准分栅闪存单元是否有编程列串扰问题的步骤包括:
将所述字线厚度与一标准厚度范围进行比较;
如果所述字线厚度在所述标准厚度范围之内,则所述自对准分栅闪存单元不会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题;
如果所述字线厚度不在所述标准厚度范围之内,则所述自对准分栅闪存单元会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题。
4.如权利要求3所述的编程列串扰在线检测方法,其特征在于,所述标准厚度范围为[a,b],其中,
5.如权利要求1所述的编程列串扰在线检测方法,其特征在于,所述特定参数为所述自对准分栅闪存单元的栅极侧墙宽度。
6.如权利要求5所述的编程列串扰在线检测方法,其特征在于,所述将所述特定参数与一标准范围进行比较,根据比较结果判断所述自对准分栅闪存单元是否有编程列串扰问题的步骤包括:
将所述栅极侧墙宽度与一第一标准宽度范围进行比较;
如果所述栅极侧墙宽度在所述第一标准宽度范围之内,则所述自对准分栅闪存单元不会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题;
如果所述栅极侧墙宽度不在所述第一标准宽度范围之内,则所述自对准分栅闪存单元会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题。
7.如权利要求5所述的编程列串扰在线检测方法,其特征在于,所述第一标准宽度范围为[c,d],其中,
8.如权利要求1所述的编程列串扰在线检测方法,其特征在于,所述特定参数为所述自对准分栅闪存单元的栅极宽度。
9.如权利要求8所述的编程列串扰在线检测方法,其特征在于,所述将所述特定参数与一标准范围进行比较,根据比较结果判断所述自对准分栅闪存单元是否有编程列串扰问题的步骤包括:
将所述栅极宽度与一第二标准宽度范围进行比较;
如果所述栅极宽度在所述第二标准宽度范围之内,则所述自对准分栅闪存单元不会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题;
如果所述栅极宽度不在所述第二标准宽度范围之内,则所述自对准分栅闪存单元会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题。
10.如权利要求8所述的编程列串扰在线检测方法,其特征在于,所述第二标准宽度范围为[e,f],其中,
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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