[发明专利]编程列串扰在线检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种编程列串扰在线检测方法。

背景技术

随着自对准分栅闪存器件工艺的发展与器件单元尺寸的不断微缩，编程列串扰问题已经成为0.13微米闪存器件中良率损失中最严峻的问题。如何早期发现并且剔除在最终产品测试中编程列串扰单元芯片，提供一种在线检测方法将成为提升半导体良率一项不可或缺的手段。目前的编程列串扰检测方法都在整个自对准分栅闪存器件完成(后段的互连层制备完成)之后的终端测试过程中进行，如图1所示，为现有技术中编程列串扰检测结构的示意图，在图1中，晶圆100的边缘部分的闪存单元出现编程列串扰问题。但是，将所有的工艺完成后在进行检测，会造成工艺的浪费、产品交付延迟与客户抱怨。如果能提前检测出闪存单元的编程列串扰问题的异常情况，就不需将异常闪存单元完成后续所有的工艺流程，提前剔除。。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种编程列串扰在线检测方法，能提前检测出闪存单元的编程列串扰在线的异常情况，不需要将所有的工艺完成。

为解决上述技术问题，本发明提供一种编程列串扰在线检测方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆上具有自对准分栅闪存单元；

在线检测所述自对准分栅闪存单元的特定参数；

将所述特定参数与一标准范围进行比较，根据比较结果判断所述自对准分栅闪存单元是否有编程列串扰问题。

进一步的，所述特定参数为所述自对准分栅闪存单元的字线厚度。

进一步的，所述将所述特定参数与一标准范围进行比较，根据比较结果判断所述自对准分栅闪存单元是否有编程列串扰问题的步骤包括：

将所述字线厚度与一标准厚度范围进行比较；

如果所述字线厚度在所述标准厚度范围之内，则所述自对准分栅闪存单元不会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题；

如果所述字线厚度不在所述标准厚度范围之内，则所述自对准分栅闪存单元会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题。

进一步的，所述标准厚度范围为[a，b]，其中，

进一步的，所述特定参数为所述自对准分栅闪存单元的栅极侧墙宽度。

进一步的，所述将所述特定参数与一标准范围进行比较，根据比较结果判断所述自对准分栅闪存单元是否有编程列串扰问题的步骤包括：

将所述栅极侧墙宽度与一第一标准宽度范围进行比较；

如果所述栅极侧墙宽度在所述第一标准宽度范围之内，则所述自对准分栅闪存单元不会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题；

如果所述栅极侧墙宽度不在所述第一标准宽度范围之内，则所述自对准分栅闪存单元会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题。

进一步的，所述第一标准宽度范围为[c，d]，其中，

进一步的，所述特定参数为所述自对准分栅闪存单元的栅极宽度。

进一步的，所述将所述特定参数与一标准范围进行比较，根据比较结果判断所述自对准分栅闪存单元是否有编程列串扰问题的步骤包括：

将所述栅极宽度与一第二标准宽度范围进行比较；

如果所述栅极宽度在所述第二标准宽度范围之内，则所述自对准分栅闪存单元不会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题；

如果所述栅极宽度不在所述第二标准宽度范围之内，则所述自对准分栅闪存单元会在最终的产品良率测试中产生编程列串扰问题。

进一步的，所述第二标准宽度范围为[e，f]，其中，

与现有技术相比，本发明提供的编程列串扰在线检测方法具有以下优点：

在本发明提供的编程列串扰检测方法中，首先提供一晶圆，所述晶圆上具有自对准分栅闪存单元；然后，在线检测所述自对准分栅闪存单元的关键尺寸或膜厚，判断所述自对准分栅闪存单元是否存在编程列串扰问题，与现有技术相比，不需要进行后段的工艺，直接在线测量所述自对准分栅闪存单元的特定参数，便可以判断所述自对准分栅闪存单元是否存在编程列串扰问题，从而能提前检测出存在编程列串扰问题的闪存单元，节约工艺步骤。

附图说明

图1为现有技术中晶圆的编程列串扰失效单元分布图；

图2为自对准分栅闪存编程列串扰失效异常单元的扫描电子图片；

图3为自对准分栅闪存单元的剖面结构示意图；

图4为本发明一实施例中编程列串扰问题的检测方法流程图；

图5为本发明又一实施例中编程列串扰问题的检测方法流程图；

图6为本发明另一实施例中编程列串扰问题的检测方法流程图。