[发明专利]非易失性存储器及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器包括：

衬底，所述衬底中具有漏极；

浮栅，设置于所述漏极一侧的所述衬底上；

控制栅，设置于所述浮栅上；

阈值电压提供单元，与所述控制栅相连，所述阈值电压提供单元具有至少一柵漏连接的晶体管，所述阈值电压提供单元用于向所述控制栅提供所述至少一柵漏连接的晶体管的阈值电压。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述阈值电压提供单元包括一个晶体管，所述晶体管的栅极与漏极相连，所述晶体管的源极接地，向所述晶体管的漏极提供一正向电流，所述晶体管的漏极连接所述控制栅，为所述控制栅提供所述晶体管的阈值电压。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述阈值电压提供单元包括多级晶体管，每级所述晶体管的栅极与本级所述晶体管的漏极相连，下一级所述晶体管的漏极与上一级所述晶体管的源极串联连接，最后一级所述晶体管的源极接地，向第一级所述晶体管的漏极提供一正向电流，第一级所述晶体管的漏极连接所述控制栅，为所述控制栅提供多级所述晶体管的阈值电压。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，所述非易失性存储器为电可擦可编程只读存储器，所述电可擦可编程只读存储器还包括一选择栅，所述选择栅设置于所述浮栅背离所述漏极一侧的所述衬底上。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，所述选择栅与衬底之间具有一绝缘层，所述绝缘层的厚度为

6.如权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，所述电可擦可编程只读存储器为双浮栅、双控制栅结构。

7.一种非易失性存储器的操作方法，其特征在于，所述非易失性存储器为如权利要求1-6中任意一项所述的非易失性存储器，所述非易失性存储器的操作方法包括：

对所述非易失性存储器进行读取操作时，所述阈值电压提供单元向所述控制栅提供所述至少一柵漏连接的晶体管的阈值电压。

8.如权利要求7所述的非易失性存储器的操作方法，其特征在于，所述非易失性存储器的操作方法还包括，对所述非易失性存储器进行擦除操作时：

向所述漏极施加第一电压，向所述控制栅施加第二电压，其中，所述第一电压大于所述第二电压，存储在所述浮栅内的电子流入所述漏极。

9.如权利要求8所述的非易失性存储器的操作方法，其特征在于，所述第一电压的取值范围为3V～10V。

10.如权利要求8所述的非易失性存储器的操作方法，其特征在于，所述第二电压的取值范围为-2V～-10V。