[发明专利]摄像装置和摄像显示系统

权利要求书

1.一种摄像装置，其包括：

像素部，它包括多个像素，各所述像素分别被配置为产生与放射线对应的信号电荷；

场效应型的第一晶体管，它设置在所述像素部中；以及

场效应型的第二晶体管，它设置在所述像素部的周边电路部中，

其中，所述第一晶体管的阈值电压与所述第二晶体管的阈值电压彼此不同。

2.如权利要求1所述的摄像装置，其中所述第一晶体管的所述阈值电压是以所述第二晶体管的所述阈值电压的值为基准向正侧或负侧漂移的值。

3.如权利要求2所述的摄像装置，其中所述第一晶体管的所述阈值电压被设定为比所述第二晶体管的所述阈值电压的值更加向所述正侧漂移的值。

4.如权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述第一晶体管包括形成沟道的第一半导体层，

所述第二晶体管包括形成沟道的第二半导体层，并且

所述第一半导体层的杂质浓度与所述第二半导体层的杂质浓度彼此不同。

5.如权利要求4所述的摄像装置，其中所述第一半导体层的所述杂质浓度高于所述第二半导体层的所述杂质浓度。

6.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其中，

所述第一晶体管具有双边栅极型元件结构，并且

所述第二晶体管具有底栅极型元件结构或顶栅极型元件结构。

7.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管均具有包括氧化硅膜的栅极绝缘膜。

8.如权利要求4或5所述的摄像装置，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层均包括多晶硅、微晶硅、非晶硅或氧化物半导体。

9.如权利要求8所述的摄像装置，其中所述第一半导体层和所述第二半导体层均包括低温多晶硅。

10.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其中所述摄像装置是间接转换型放射线摄像装置。

11.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其中所述摄像装置是直接转换型放射线摄像装置。

12.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其中所述放射线包括X射线。

13.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，其中各所述像素包括光电转换元件，所述光电转换元件是PIN型光电二极管或MIS型传感器。

14.一种摄像显示系统，所述摄像显示系统设置有摄像装置和显示器，所述显示器被配置为进行与由所述摄像装置获得的摄像信号对应的图像显示，所述摄像装置是权利要求1至13中任一项所述的摄像装置。