[发明专利]摄像装置和摄像显示系统

说明书

技术领域

本发明涉及包括光电转换元件的摄像装置和包括这种摄像装置的摄像显示系统。

背景技术

近年来，已经提出了在各个像素（摄像像素）中都内置有光电转换元件这一类型的各种摄像装置。这类摄像装置的一个示例例如可包括所谓的光学式触摸面板和放射线摄像装置等（例如，参见日本未审查的专利申请公开公报No.2011-135561）。

虽然在上述的这类摄像装置中使用了薄膜晶体管（TFT：Thin Film Transistor）作为适用于从各个像素读出信号电荷的开关元件，但由于TFT的阈值电压的漂移，因而可能产生可靠性降低的缺点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种摄像装置，该摄像装置可以通过减轻由晶体管的阈值电压的漂移造成的影响而实现高可靠性，本发明的目的还在于提供包括这种摄像装置的摄像显示系统。

根据本发明的实施例，提供了一种摄像装置，它包括：像素部，所述像素部包括多个像素，各个所述像素分别被配置为产生与放射线对应的信号电荷；设置在所述像素部中的场效应型的第一晶体管；以及设置在所述像素部的周边电路部中的场效应型的第二晶体管。所述第一晶体管的阈值电压与所述第二晶体管的阈值电压彼此不同。

根据本发明的实施例，提供了一种摄像显示系统，所述摄像显示系统设有摄像装置和显示器，所述显示器被配置为进行与由所述摄像装置获得的摄像信号对应的图像显示。所述摄像装置包括：像素部，所述像素部包括多个像素，各个所述像素分别被配置为产生与放射线对应的信号电荷；设置在所述像素部中的场效应型的第一晶体管；以及设置在所述像素部的周边电路部中的场效应型的第二晶体管。所述第一晶体管的阈值电压与所述第二晶体管的阈值电压彼此不同。

在根据本发明上述各实施例的摄像装置和摄像显示系统中，使设置于像素部（该像素部包括多个像素，且各个像素产生与放射线对应的信号电荷）中的第一晶体管的阈值电压不同于设置于该像素部的周边电路部中的第二晶体管的阈值电压。因此，可以当预知例如在像素部中比在周边电路部中将会更易于发生晶体管的阈值电压漂移时设定第一晶体管和第二晶体管各自的阈值电压，且因此提高了晶体管的寿命特性。

根据本发明上述各实施例中的摄像装置和摄像显示系统，使设置于像素部（该像素部包括多个像素，且各个像素产生与放射线对应的信号电荷）中的第一晶体管的阈值电压不同于设置于该像素部的周边电路部中的第二晶体管的阈值电压。因此，可以当预知例如在像素部中比在周边电路部中将会更易于发生晶体管的阈值电压漂移时设定第一晶体管和第二晶体管各自的阈值电压，且可以提高晶体管的寿命特性。所以，通过减轻由晶体管的阈值电压的漂移造成的影响，可以实现高可靠性。

应当理解的是，前面的总体说明和后面的详细说明都是示例性的，旨在为本发明要求保护的技术提供进一步的解释。

附图说明

本发明所包含的附图为本技术的内容提供了进一步的理解，这些附图并入在本说明书中并构成本说明书的一部分。附图中图示了各实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。

图1是图示了本发明一个实施例的摄像装置的一个总体结构示例的框图。

图2是图示了图1所示的像素等的一个具体结构示例的电路图。

图3是图示了图2所示的光电转换元件和晶体管的一个示意性结构示例的剖面图。

图4是图示了图1所示的行扫描部的一个具体结构示例的框图。

图5是图示了图1所示的列选择部的一个具体结构示例的框图。

图6A是图示了像素部中的晶体管和周边电路部中的晶体管的电流-电压特性的一个示例的特性图。

图6B是说明了P沟道型晶体管的操作点的一个示例的特性图。

图7A是说明了像素部中的晶体管和周边电路部中的晶体管的操作点的设定方法的一个示例的剖面图。

图7B是说明了跟在图7A所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。

图7C是说明了跟在图7B所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。

图7D是说明了跟在图7C所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。

图7E是说明了跟在图7D所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。

图7F是说明了跟在图7E所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。

图7G是说明了跟在图7F所示步骤后面的步骤的一个示例的剖面图。

图8是说明了由X射线照射引起的阈值电压漂移的一个示例的电流-电压特性图。