[发明专利]一种嵌入式存储器修正的最优化方法有效
| 申请号： | 201410098554.X | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103839596B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 任栋梁;吴玮;桂伟;钱亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 嵌入式 存储器 修正 优化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种嵌入式存储器修正的最优化方法，其特征在于，包括：
对嵌入式存储器的电参数进行修正，确定档位范围；其中电参数修正之后的数值呈正态分布；
将确定的档位范围左右各减少一个档位。
2.如权利要求1所述的嵌入式存储器修正的最优化方法，其特征在于，所述嵌入式存储器是eflash。
3.如权利要求1所述的嵌入式存储器修正的最优化方法，其特征在于，所述电参数为写入电压和/或擦除电压。
4.如权利要求3所述的嵌入式存储器修正的最优化方法，其特征在于，所述电参数的数据最多为16个。
5.如权利要求4所述的嵌入式存储器修正的最优化方法，其特征在于，所述电参数载入在计算器中，位于所述计算器的16个档位中。
6.如权利要求5所述的嵌入式存储器修正的最优化方法，其特征在于，采用精确测试单元对所述电参数进行测量。
7.如权利要求1所述的嵌入式存储器修正的最优化方法，其特征在于，最终的档位范围中档位不少于3个。
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