[发明专利]一种嵌入式存储器修正的最优化方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路测试技术领域，特别涉及一种嵌入式存储器修正的最优化方法。

背景技术

半导体存储器可分为挥发性存储器和非挥发性存储器两类，挥发性存储器断电后会失去记忆的数据，非挥发性存储器即使在切断电源的情况下也可以保护数据。ROM是非挥发性存储器，ROM在类型上根据用户是否可以写入数据而分为两类，一类是用户可以写入的ROM，另一类是制造商在加工过程中写入的被称为Mask ROM。在用户可写入的ROM中，比较常用的有EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦可编程只读存储器）和eflash（Embedded Flash Memory，嵌入式闪存）。

Eflash是EEPROM走向成熟，半导体技术发展到亚微米技术，以及大容量电可擦写存储器需求的产物。它存储数据的原理是以电荷的形成储存在浮栅电极上。与EEPROM相比，eflash在集成度方面有无可比拟的优越性；它的单元面积仅为常规EEPROM的四分之一。EEPROM由于成本高、需求量小、集成度低，有逐渐被eflash取代的趋势。

在eflash的制程中，有eflash测试这一步骤，目的是控制测试系统硬件以一定的方式保证被测eflash达到或超越它的一些具体定义在器件规格书里的设计指标。

对于eflash器件，其擦除电压（VEE）和编程电压（VEP）的测试方法包括：在计算器（register）中载入一组数据，例如可以是编程电压，通常可以为16个，位于计算器的16个档位中；并通过在该档位下的值时烧断存储器中相应的保险丝，来不断调整到合适的电压（该过程称为trimming，即修正），在此过程中需要用到精确测试单元（precision measure unit，PMU）来测量，接着采用相应的计算机语言编写相关程序，从16个测得的值中选取最接近目标值的测得的值作为最终结果。图1为现有技术中嵌入式存储器修正后最终结果的正态分布示意图，如图1所示，在规格值（spec）之内的有5个档位的数值。

从图1可以看出，还是有一部分数值，例如档位1与档位5的数值在规格值附近，eflash器件形成过程中微小的波动（例如设计方面、制造过程或者测试方面的波动）可能造成这一部分数值发生波动超出规格值，因此减少或消除在规格值附近分布的数值，增大数值分布的集中程度，提高嵌入式存储器性能的稳定性是很有必要的。

发明内容

本发明提供了一种嵌入式存储器修正的最优化方法，以解决现有技术中嵌入式存储器修正之后会有一部分电参数的数值在规格值附近波动造成器件性能不稳定的问题。

本发明提供的嵌入式存储器修正的最优化方法，包括：

对嵌入式存储器的电参数进行修正，确定档位范围；

将确定的档位范围左右各减少一个档位。

进一步的，所述嵌入式存储器是eflash。

进一步的，所述电参数为写入电压和/或擦除电压。

进一步的，所述电参数的数据最多为16个。

进一步的，所述电参数载入在计算器中，位于所述计算器的16个档位中。

进一步的，采用精确测试单元对所述电参数进行测量。

进一步的，最终的档位范围中档位不少于3个。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

1、本发明对嵌入式存储器的电参数进行修正，确定档位范围之后，通过将档位范围左右各减少一档，提高电参数的数值集中程度，减少在规格值附近波动的数值，防止因设计、制造或者测试等因素造成的数值波动超出规格值的情况发生，以此提高器件性能的稳定性；

2、本发明只是增加一个减少档位的过程，并不需要重新对电参数进行测量，不会增加测试时间，从而在保证测试效率的基础上提高了性能的稳定性。

附图说明

图1为现有技术中嵌入式存储器修正后最终公结果的正态分布示意图。

图2为本发明一实施例所提供的嵌入式存储器修正的最优化方法的流程示意图。

图3为本发明一实施例所提供的嵌入式存储器修正的最优化方法的最终结果的正态分布示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的嵌入式存储器修正的最优化方法做进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚，需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。