[发明专利]半导体装置制造时的低热预算方案

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其包括：

在半导体基底上方提供闸极结构；

进行用于形成毗连该闸极结构的非晶区的预非晶化布植程序；

进行用于在该等非晶区中形成源极/汲极扩展区的第一布植程序；以及

进行用于在该等非晶区中形成源极/汲极区的第二布植程序。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法更包括进行快速热退火程序，该快速热退火程序是在形成该等源极/汲极区之后进行。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，提供该闸极结构后且进行该快速热退火程序前所进行程序的热预算实质低于450℃。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该预非晶化布植程序后进行的处理步骤都不具有大于400℃的温度。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该半导体基底在该预非晶化布植程序后且该快速热退火程序前未曝露至高于450℃或高于400℃的温度。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该方法更包括在进行该第一布植程序前及/或进行该第二布植程序前，形成在该闸极结构各侧包含间隔物的第一间隔物结构。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该方法更包括在该第一布植程序后且该第二布植程序前，在该第一间隔物结构上方形成第二间隔物结构。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成该第一间隔物结构及该第二间隔物结构的至少一者包括进行原子层沉积程序。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法更包括进行用于将氟植入该等非晶区内的第三布植程序。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第三布植程序是在该第一布植程序后且该第二布植程序前进行。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第三布植程序是在该第二布植程序期间进行。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第三布植程序是在该第二布植程序后进行。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该半导体装置为NMOS装置。

14.一种制造半导体装置的方法，其包括：

在半导体基底上方提供闸极结构；

进行用于形成毗连该闸极结构的非晶区的预非晶化布植程序；

进行用于在该等非晶区中形成源极/汲极扩展区的第一布植程序；

进行用于在该等非晶区中形成源极/汲极区的第二布植程序；

进行用于将氟植入该等非晶区内的第三布植程序；以及

在该等源极/汲极区形成于该等非晶区中后进行快速热退火程序。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，提供该闸极结构后且进行该快速热退火程序前所进行程序的热预算实质低于450℃。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，该第三布植程序是在该等源极/汲极区形成于该等非晶区中的期间或之后进行。

17.一种中间半导体装置结构，其包括：

闸极结构，其布置于半导体基底上方；

间隔物结构，其毗连于该结构而成；

非晶区，其在该闸极结构各侧毗连于该闸极结构而成，该等非晶区是与该闸极结构对准；

源极/汲极扩展区，其形成于该等非晶区内；以及

源极/汲极区，其形成于该等非晶区内。

18.如权利要求17所述的中间半导体装置结构，其特征在于，该等非晶区扩展至该半导体基底中至小于30奈米且大于5奈米的最大深度。

19.如权利要求18所述的中间半导体装置结构，其特征在于，该最大深度大于7.2奈米。

20.如权利要求17所述的中间半导体装置结构，其特征在于，该等源极/汲极扩展区及该等源极/汲极区的至少一者具有植入其中的氟及至少一第5族元素。