[发明专利]一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀装置

说明书

技术领域

本发明涉及到液晶显示装置生产的技术领域，尤其涉及到一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀装置。

背景技术

液晶显示装置生产行业中，玻璃基板在进行干法刻蚀时，一般采用等离子对玻璃基板进行刻蚀，这个过程中如果对玻璃基板不进行位置固定，玻璃基板就会发生漂移，影响刻蚀效果和准确度。为了固定玻璃基板，一般在干法刻蚀装置中的下基台使用干刻电极产生的静电力吸附玻璃基板，具体的，位于基板上方的等离子刻蚀时产生负电荷，支撑基板的干刻电极产生正电荷，利用静电吸附作用对玻璃基板进行固定，防止其漂移。干刻时使用的承载装置如图1所示，包括基台1，该基台1上具有多个气孔3，设置在基台1上的多个用于支撑玻璃基板的干刻电极2，由于干刻电极2由硬度高于玻璃基板的陶瓷包覆，在长期静电作用及其他因素的影响下，干刻电极2表面沉淀了其他物质，且容易牢牢地粘附在玻璃基板下表面，故在干刻结束，玻璃基板从承载装置上抬起时，玻璃基板下表面极易被极划伤，形成许多微小的裂痕（纹），并且在后续工艺中，玻璃基板的温度存在快速上升（达到300℃）及快速下降（室温），造成玻璃基板裂痕扩大，且对玻璃基板内部形成一定的破坏作用，即与干刻电极2接触及周边位置的玻璃基板均匀性降低，当光通过时，容易造成光的散射，形成印花不良。

发明内容

本发明提供了一种承载装置及干法刻蚀装置，用以提高基板在刻蚀时的安 全性，降低刻蚀后的不良率，提高基板刻蚀后的质量。

本发明提供了一种用于干法刻蚀的承载装置，该承载装置包括：

基台；

设置于所述基台并用于支撑基板的多个干刻电极；

套装于每个干刻电极并将所述干刻电极与所述基板隔离的保护膜，且所述保护膜的韦氏硬度低于所述基板的韦氏硬度。

在上述技术方案中，基板直接与保护膜接触，由于保护膜的韦氏硬度低于基板的韦氏硬度，因此，在基板与保护膜之间出现滑动时，保护膜不会划伤基板，提高了基板在刻蚀时的安全性，降低了刻蚀后的不良率，进而提高了基板刻蚀后的质量。

优选的，在所述保护膜与所述基板接触时，所述保护膜与所述基板的接触面积的直径在0.3mm～0.5mm之间。限定了保护膜与基板的接触面积，避免接触过大。

优选的，所述保护膜中位于所述干刻电极顶端上方的部分的厚度在0.2mm～0.7mm之间。保证了干刻电极能够通过静电吸附住基板。

优选的，所述多个保护膜通过连接膜连接。便于保护膜的安装与生产。

优选的，所述多个保护膜与所述连接膜为一体结构。便于保护膜的安装与生产。

优选的，所述连接膜通过连接件与所述基台固定连接。使得保护膜能够稳定的固定在干刻电极上。

优选的，所述连接膜与所述基台粘接连接。通过粘接剂将保护膜固定在干刻电极上。

优选的，所述保护膜为有机复合材料保护膜、塑料保护膜或树脂保护膜。具有较强的支撑强度以及较低的韦氏硬度。

优选的，所述保护膜为聚四氟乙烯保护膜或聚丙烯树脂保护膜。具有较强的支撑强度以及较低的韦氏硬度。

本发明还提供了一种干法刻蚀装置，该干法刻蚀装置包括上述任一种承载装置。

在上述技术方案中，基板直接与保护膜接触，由于保护膜的韦氏硬度低于基板的韦氏硬度，因此，在基板与保护膜之间出现滑动时，保护膜不会划伤基板，提高了基板在刻蚀时的安全性，进而提高了基板刻蚀后的质量。

附图说明

图1为现有技术中的承载装置的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的承载装置的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的保护膜与连接膜为一体结构的使用状态参考图；

图4为本发明实施例提供的横截面为锥形的保护膜的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的横截面为弧形的保护膜的结构示意图。

附图标记：

1-基台 2-干刻电极 3-气孔

4-保护膜 5-连接膜 6-连接件

具体实施方式

为了提高基板在刻蚀时的安全性，降低了刻蚀后的不良率，进而提高基板刻蚀后的质量，本发明实施例提供了一种承载装置。在本发明的技术方案中，在干刻电极上套装韦氏硬度低于基板的保护膜，使得干刻电极在承载基板时通过保护膜与基板接触，避免了基板被划伤，提高了基板在刻蚀时的安全性，进而提高了基板刻蚀后的质量。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下以非限制性的实施例为例对本发明作进一步详细说明。