[发明专利]一种双平衡混频器的装置

权利要求书

1.一种双平衡混频器的装置，其特征在于，该双平衡混频器的装置包括：混频器腔体、混频器电路、K型接头；混频器电路设置在混频器腔体的内部，K型接头设置在混频器电路的左、右两侧； 

混频器电路由以下器件组成：混频管、金带、金丝、50Ω共面波导、耦合槽线、60Ω槽线、介质基片、λ/8的短路线；混频管垂直对称设置在混频器内部，λ／8的短路线设置在混频管的下方，60Ω槽线设置在λ／8的短路线的下面，耦合槽线连接60Ω槽线，金带设置在耦合槽线和60Ω槽线之间，50Ω共面波导设置在金带的右侧，金丝设置在50Ω共面波导上，介质基片设置在混频器电路的内部。 

2.如权利要求1所述的双平衡混频器的装置，其特征在于，金丝的间距为1mm。 

3.如权利要求1所述的双平衡混频器的装置，其特征在于，双平衡混频器的装置采用单面结构。 

4.如权利要求1所述的双平衡混频器的装置，其特征在于，混频管采用梁式引线二极管。 

5.如权利要求1所述的双平衡混频器的装置，其特征在于，混频管采用可工作到Ka波段的器件，等效电路图的连接为：电感L1与电阻R1和电容C1串联，电阻R1和电容C1并联，电阻R1与电阻Rj和电容C1串联，电阻Rj和电容C1并联。 

6.如权利要求5所述的双平衡混频器的装置，其特征在于，等效电感L1为：0.1nH；等效电阻R1为：50Ω；等效电容C1为0.02pF；等效电容C2为：0.03pF。 

7.如权利要求1所述的双平衡混频器的装置，其特征在于，混频器的射频阻抗均为z'=2*z=53.1-j110.7。 

8.如权利要求1所述的双平衡混频器的装置，其特征在于，该双平衡混频器的装置信号通过50Ω共面波导过渡到耦合槽线，再渐变到60Ω槽线加到混频管上实现了宽频带，在电路中还引入了λ／8的短路线。 

9.如权利要求1所述的双平衡混频器的装置，其特征在于，该双平衡混频器的装置选用厚度为0.635mm的氧化铝陶瓷基片。 

10.如权利要求1所述的双平衡混频器的装置，其特征在于，共面波导的接地面距离不能接近λ/2，在本振端及信号端采用金丝跨接的方式。