[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

基板处理装置是在半导体等的制造工序中，向晶片或液晶基板等基板的表面供给处理液，对该基板表面进行处理，之后向基板表面供给超纯水等清洗液对该基板表面进行清洗，进而将其干燥的装置。在该干燥工序中，由于近年来的伴随半导体的高集成化、高容量化的微细化，发生例如存储器单元、栅极周围的图案倒塌的问题。这是由图案彼此的间隔、构造、清洗液的表面张力等引起的。

于是，以抑制上述图案倒塌为目的，提出了使用表面张力比超纯水还小的IPA（2－丙醇：异丙醇）的基板干燥方法（例如参照专利文献1），在量产工场等中使用将基板表面上的超纯水置换为IPA以进行基板干燥的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－34779号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，半导体的微细化不断发展，即使使用IPA这样的表面张力小的有机溶剂等液体进行干燥，晶片的微细图案也会由于该液体的表面张力等而倒塌。

例如，在液体不断干燥的过程中，在基板W表面的各部的干燥速度产生不均匀，如图7（B）所示，当液体A1残留于一部分的图案P之间时，图案由于该部分的液体A1的表面张力而倒塌。特别是，残留有液体的部分的图案彼此由于液体的表面张力引起的靠近而发生弹性 变形的倒塌，溶解在该液体中的微少的残渣凝聚，之后当液体完全干燥时，倒塌的图案彼此由于残渣的存在等而彼此固接。

此外，随着晶片、液晶基板等基板的大型化，清洗基板表面进而将其干燥的一系列的操作时间有变长的倾向，需要提高其生产率。

本发明的技术问题在于在基板的干燥时使表面上的液体瞬时干燥并且提高基板的生产率。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的基板处理装置包括：向基板的表面供给清洗液的清洗液供给部；向被供给有清洗液的基板的表面供给挥发性溶剂，将基板的表面的清洗液置换为挥发性溶剂的溶剂供给部；对被供给有挥发性溶剂的基板进行加热的加热机构；和将通过加热机构的加热作用在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠除去，对干燥基板的表面进行干燥的干燥机构，其中，上述加热机构和上述干燥机构设置在从上述溶剂供给部输出的基板的输送路径上。

本发明的基板处理方法包括：向基板的表面供给清洗液的工序；向被供给有清洗液的基板的表面供给挥发性溶剂，将基板的表面的清洗液置换为挥发性溶剂的工序；对被供给有挥发性溶剂的基板进行加热的工序；和将通过基板的加热在基板的表面生成的挥发性溶剂的液珠除去，对基板的表面进行干燥的工序，其中，在供给上述挥发性溶剂之后的基板的输送过程中进行上述进行加热的工序和上述进行干燥的工序。

发明效果

根据本发明的基板处理装置和基板处理方法，在基板的干燥时能够使表面上的液体瞬时干燥并且提高基板的生产率。

附图说明

图1是表示实施例1的基板处理装置的示意图。

图2是表示基板处理装置的基板清洗室的结构的示意图。

图3是表示基板处理装置的基板干燥室的结构的示意图。

图4是表示基板处理装置的基板干燥室的变形例的示意图。

图5是表示实施例2的基板处理装置的示意图。

图6是表示基板处理装置的变形例的示意图。

图7是表示基板表面的挥发性溶剂的干燥状况的示意图。

附图标记说明

10、100基板处理装置

47、114清洗液供给部

48、115溶剂供给部

62、112输送辊

64、117加热机构

65、118吸引干燥机构（干燥机构）

67、119吹飞干燥机构（干燥机构）

W基板

具体实施方式

（实施例1）（图1～图4）

如图1所示，实施例1的基板处理装置10设置有基板供排部20、基板保管用缓冲部30、多个基板清洗室40和在基板保管用缓冲部30所具有的后述的外部专用缓冲部32中设置的基板干燥室60，在基板供排部20与基板保管用缓冲部30之间设置有输送机械手11，在基板保管用缓冲部30与基板清洗室40之间设置有输送机械手12。