[发明专利]具有模塑通孔的半导体器件

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件，

其中，

所述基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分，以及

所述覆盖晶圆包括多个隔离沟槽，所述多个隔离沟槽配置为与所述第一芯片封装件部分、所述第二芯片封装件部分和所述第三芯片封装件部分中的一个的相应的沟槽区对准，所述覆盖晶圆还包括多个分离沟槽，相对于所述覆盖晶圆的相同表面，所述多个分离沟槽的深度比所述多个隔离沟槽的隔离沟槽的深度更大；

去除所述覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件，所述第一芯片封装件部分接触件、所述第二芯片封装件部分接触件和所述第三芯片封装件部分接触件与所述多个分离沟槽的相应的分离沟槽对准；

分离所述晶圆封装件以将所述晶圆封装件分离成配置以实施第一操作的第一芯片封装件、配置以实施第二操作的第二芯片封装件和配置以实施第三操作的第三芯片封装件，所述第一芯片封装件包括所述第一芯片封装件部分，所述第二芯片封装件包括所述第二芯片封装件部分，并且所述第三芯片封装件包括所述第三芯片封装件部分；以及

将所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件放置在衬底上；

使用模塑料将所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件接合在一起；

形成穿过所述模塑料的多个模塑通孔，所述多个模塑通孔暴露所述第一芯片封装件部分接触件、所述第二芯片封装件部分接触件和所述第三芯片封装件部分接触件。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件上方、所述模塑料的至少一部分上方和所述多个模塑通孔中形成再分布层；

在所述模塑料和所述再分布层上方形成绝缘层；以及

在所述绝缘层中形成暴露所述再分布层的至少一部分的多个开口。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在所述多个开口中形成多个凸块下层；以及

在所述凸块下层上方形成多个焊料凸块。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件独立地选自加速度计、陀螺仪和压力传感器。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在接合所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件之前，将CMOS芯片封装件部分放置在所述衬底上，并且使用所述模塑料将CMOS芯片封装件、所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件接合在一起，

其中，所述多个模塑通孔包括暴露所述CMOS芯片封装件部分的接触件的模塑通孔，并且所述再分布层也形成在所述CMOS芯片封装件部分上方和与所述CMOS芯片封装件部分相关的所述模塑通孔中。

6.根据权利要求2所述的方法，还包括：

去除所述衬底。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在将所述第一芯片封装件部分、所述第二芯片封装件部分和所述第三芯片封装件部分的一个或多个放置在所述衬底上之前，将粘合层放置在所述衬底上，并且通过从所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件或所述第三芯片封装件的一个或多个剥离所述粘合层去除所述衬底。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述衬底是CMOS芯片封装件部分，所述多个模塑通孔包括暴露所述CMOS芯片封装件部分的接触件的模塑通孔，所述再分布层也形成在所述CMOS芯片封装件部分上方和与所述CMOS芯片封装件部分相关的所述模塑通孔中，并且使用所述模塑料将CMOS芯片封装件、所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件接合在一起。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在将所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件放置在所述衬底上之前，将环氧化物应用至所述CMOS芯片封装件部分，所述环氧化物能够将所述第一芯片封装件、所述第二芯片封装件和所述第三芯片封装件接合至所述CMOS芯片封装件部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，通过所述绝缘层密封所述多个模塑通孔。