[发明专利]一种形成侧墙氧化硅保护层的方法在审
| 申请号： | 201410102237.0 | 申请日： | 2014-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN103871859A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 洪齐元;黄海 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 形成 氧化 保护层 方法 | ||
1.一种形成侧墙氧化硅保护层的方法，包括以下步骤：
步骤一，提供一半导体结构；
步骤二，利用具有多个缝隙的平面天线将微波导入等离子腔室中，使氧气相对于氩气体积比为1%～5%进行供给，在等离子体腔室内产生氧气和氩气的等离子体，利用所述氧气和氩气的等离子体对所述半导体结构实施等离子体氧化，在所述半导体结构的表面形成侧墙氧化膜层。
2.根据权利要求1所述的形成侧墙氧化硅保护层的方法，其特征在于：所述半导体结构包括设置在硅衬底上的阱区，及部分嵌入所述阱区内的浅沟隔离槽，所述阱区上设置有多个多晶栅，所述侧墙氧化膜层覆盖暴露的阱区及浅沟隔离槽的上表面、所述多个多晶栅的上表面及其侧壁。
3.根据权利要求1或2所述的形成侧墙氧化硅保护层的方法，其特征在于：所述等离子腔室内温度为200～400℃。
4.根据权利要求1或2所述的形成侧墙氧化硅保护层的方法，其特征在于：所述等离子腔室压力为100mT～5Torr。
5.根据权利要求1或2所述的形成侧墙氧化硅保护层的方法，其特征在于：所述等离子腔室的射频功率为200～4000W。
6.根据权利要求1或2所述的形成侧墙氧化硅保护层的方法，其特征在于：所述多晶栅间隔为60～200纳米。
7.根据权利要求1或2所述的形成侧墙氧化硅保护层的方法，其特征在于：所述侧墙氧化膜层的厚度为10～300埃米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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