[发明专利]用于设计Fin-FET半导体器件的方法和系统

权利要求书

1.一种用于生成半导体器件的设计的方法，包括：

提供包括代表电路元件的多个单元的半导体器件的第一布局，所述电路元件包括多个鳍式场效应晶体管(Fin-FET)；

在处理器中提供包括多个单元的单元库，其中，所述单元库中的多个单元的每个单元都分别被标示上不同的标记以代表相应的鳍高度；以及

通过在所述半导体器件的第一布局中的相应位置处放置或替换为来自所述单元库的至少一个单元，在所述处理器中生成用于要被制造的半导体器件的第二布局，其中，替换所述第一布局中相应位置的步骤还包括：识别所述半导体器件的至少一条关键路径；分析所述至少一条关键路径的性能参数；以及改变所述至少一条关键路径中的至少一个单元以满足用于所述半导体器件的性能规范组；

其中，来自所述单元库的至少一个单元包括具有与所述半导体器件的第二布局中的相邻鳍式场效应晶体管不同的相应鳍高度的鳍式场效应晶体管。

2.根据权利要求1所述的用于生成半导体器件的设计的方法，其中，所述半导体器件的第一布局中的多个单元包括具有相同鳍高度的鳍式场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的用于生成半导体器件的设计的方法，其中，提供所述单元库的步骤包括：

将代表具有不同鳍高度的多个鳍式场效应晶体管的配置的数据输入至所述处理器；

在所述处理器中生成包括多个单元的所述单元库，其中，所述单元库中的多个单元的每个单元都分别被标示上不同的标记以代表相应的鳍高度。

4.根据权利要求3所述的用于生成半导体器件的设计的方法，其中，提供所述单元库的步骤还包括：

为所述单元库中的至少一个鳍式场效应晶体管选择相应的鳍高度，使得所述至少一个鳍式场效应晶体管具有与所述半导体器件的第一布局中的相应鳍式场效应晶体管不同的速度或不同的功耗。

5.根据权利要求3所述的用于生成半导体器件的设计的方法，其中，所述单元库具有至少一个鳍式场效应晶体管，所述至少一个鳍式场效应晶体管具有比所述半导体器件的第一布局中的相应鳍式场效应晶体管更高的速度或更低的功耗。

6.根据权利要求1所述的用于生成半导体器件的设计的方法，其中，生成所述半导体器件的第二布局的步骤包括：

在所述半导体器件的第一布局的相应位置处放置来自所述单元库的至少一个单元；以及

基于用于所述半导体器件的性能规范组，用来自所述单元库的多个单元中的一个单元替换所述第一布局中的多个单元的至少一些单元。

7.根据权利要求6所述的用于生成半导体器件的设计的方法，还包括：

进行布线以连接用于所述要被制造的半导体器件的第二布局中的多个单元。

8.根据权利要求6所述的用于生成半导体器件的设计的方法，还包括：

从所述处理器中输出用于所述要被制造的半导体器件的第二布局。

9.根据权利要求6所述的用于生成半导体器件的设计的方法，其中，在替换多个单元中的每个单元的步骤中，所述性能规范组包括：用于所述半导体器件的面积、所述半导体器件的速度、所述半导体器件的功耗和所述半导体器件的信号转换速率平衡中的至少一个。

10.根据权利要求6所述的用于生成半导体器件的设计的方法，其中，将所述半导体器件的第一布局中的多个单元的相应一个单元替换为具有比所述多个单元的相应一个单元更高的鳍高度和更低的栅极阈值电压的来自所述单元库的相应单元。