[发明专利]用于设计Fin-FET半导体器件的方法和系统

说明书

本发明提供了一种方法，包括提供包含代表电路元件的多个单元的半导体器件的第一布局以及在处理器中提供包含多个单元的单元库。电路元件包括多个鳍式场效应晶体管（Fin‑FET）。单元库中多个单元的每个都被标示上不同的标记以代表相应的鳍高度。方法还包括通过在第一布局中的相应位置处放置或替换为来自单元库的至少一个单元，生成用于要被制造的半导体器件的第二布局。来自单元库的至少一个单元包括具有与第二布局中的相邻Fin‑FET不同的相应鳍高度的Fin‑FET。本发明还提供了用于设计Fin‑FET半导体器件的方法和系统。

技术领域

本发明通常涉及半导体制造，更具体地，涉及电子设计自动化工具。

背景技术

随着对成本和可靠性的考虑的增多，不断地需求具有更高集成度的半导体器件，即，晶体管和其他器件的更高的封装密度。为了增加集成度，在多种应用中，Fin-FET（鳍式场效应晶体管）器件在半导体集成电路和其他半导体器件中变得逐渐流行。

Fin-FET器件包括具有高纵横比的半导体鳍，该半导体鳍延伸到衬底表面之上且相对于衬底的顶面垂直地形成该半导体鳍的、具有高纵横比的半导体鳍。在半导体鳍中，形成半导体晶体管器件的沟道和源极/漏极区。鳍是隔离的、凸起的结构。沟道区相对于具有平面沟道的晶体管具有增加的面积。在鳍的上方且沿着鳍的侧面形成栅极，利用沟道和源极/漏极区的表面积增加的优势，以制造更快、更可靠和更好控制的半导体晶体管器件。Fin-FET技术的一个重要优势是：器件之间的失配明显低于平面制造工艺。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本发明的一方面，提供了一种方法，包括：提供包括代表电路元件的多个单元的半导体器件的第一布局，所述电路元件包括多个鳍式场效应晶体管（Fin-FET）；在处理器中提供包括多个单元的单元库，其中，所述单元库中的多个单元的每个单元都被标示上不同的标记以代表相应的鳍高度；以及通过在所述半导体器件的第一布局中的相应位置处放置或替换为来自所述单元库的至少一个单元，在所述处理器中生成用于要被制造的半导体器件的第二布局，其中，来自所述单元库的至少一个单元包括具有与所述半导体器件的第二布局中的相邻Fin-FET不同的相应鳍高度的Fin-FET。

在该方法中，所述半导体器件的第一布局中的多个单元包括具有相同鳍高度的Fin-FET。

在该方法中，提供所述单元库的步骤包括：将代表具有不同鳍高度的多个Fin-FET的配置的数据输入至所述处理器；在所述处理器中生成包括多个单元的所述单元库，其中，所述单元库中的多个单元的每个单元都被标示上不同的标记以代表相应的鳍高度。

在该方法中，提供所述单元库的步骤还包括：为所述单元库中的至少一个Fin-FET选择相应的鳍高度，使得所述至少一个Fin-FET具有与所述半导体器件的第一布局中的相应Fin-FET不同的速度或不同的功耗。

在该方法中，所述单元库具有至少一个Fin-FET，所述至少一个Fin-FET具有比所述半导体器件的第一布局中的相应Fin-FET更高的速度或更低的功耗。

在该方法中，生成所述半导体器件的第二布局的步骤包括：在所述半导体器件的第一布局的相应位置处放置来自所述单元库的至少一个单元；以及基于用于所述半导体器件的性能规范组，用来自所述单元库的多个单元中的一个单元替换所述第一布局中的多个单元的至少一些单元。

该方法还包括：进行布线以连接用于所述要被制造的半导体器件的第二布局中的多个单元。

该方法还包括：从所述处理器中输出用于所述要被制造的半导体器件的第二布局。

在该方法中，在替换多个单元中的每个单元的步骤中，所述性能规范组包括：用于所述半导体器件的面积、所述半导体器件的速度、所述半导体器件的功耗和所述半导体器件的信号转换速率平衡中的至少一个。