[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，是将晶片沿分割预定线分割成一个个器件的方法，所述晶片在正面呈格子状地形成有多个分割预定线，并且在由多个分割预定线划分出的多个区域形成有器件，

所述晶片的加工方法的特征在于，具备：

改性层形成工序，从晶片的背面侧沿分割预定线照射对晶片具有透射性的波长的激光光线，沿分割预定线在晶片的内部形成连续的改性层；以及

分割工序，对实施了该改性层形成工序的晶片施加外力，由此将晶片沿形成了改性层的分割预定线分割成一个个器件，

该改性层形成工序包括：

第1改性层形成工序，将激光光线的聚光点定位在晶片的背面附近进行照射，由此在晶片的背面附近形成连续的第1改性层；以及

第2改性层形成工序，将激光光线的聚光点定位在实施了该第1改性层形成工序的晶片的远离该第1改性层的正面侧进行照射，之后，在使聚光点依次移动至到达该第1改性层的区域的同时，层叠形成多个连续的第2改性层，

在实施了该第2改性层形成工序之后，实施第3改性层形成工序，在所述第3改性层形成工序中，将激光光线的聚光点定位在比该第2改性层靠晶片的正面侧的位置进行照射，由此在晶片的正面附近形成连续的第3改性层。