[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，能将晶片分割成一个个器件而不在晶片背面附近切断面产生凹凸。一种将晶片沿分割预定线分割成一个个器件的加工方法，在晶片正面呈格子状形成有多个分割预定线，在由分割预定线划分出的多个区域形成有器件，该方法包括：改性层形成工序，从晶片背面侧沿分割预定线照射对晶片具有透射性的波长的激光光线，沿分割预定线在晶片内部形成改性层；以及分割工序，对晶片施加外力，将晶片沿形成了改性层的分割预定线分割成一个个器件，改性层形成工序包括：第1改性层形成工序，将激光光线聚光点定位在晶片背面附近，在晶片背面附近形成第1改性层；以及第2改性层形成工序，将激光光线聚光点定位在晶片的远离第1改性层的正面侧，之后，在使聚光点依次移动至到达第1改性层的区域的同时，层叠形成多个第2改性层。

技术领域

本发明涉及将晶片沿分割预定线分割成一个个器件的晶片的加工方法，该晶片在正面呈格子状地形成有多个分割预定线，并且在由多个分割预定线划分出的多个区域形成有器件。

背景技术

在半导体器件制造过程中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面利用呈格子状排列的分割预定线划分出多个区域，在该划分出的区域形成IC（集成电路）、LSI（大规模集成电路）等器件。并且，通过将半导体晶片沿分割预定线切断来对形成有器件的区域进行分割，从而制造出一个个器件。

此外，在光器件制造过程中，在蓝宝石基板或碳化硅基板的正面层叠由n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层构成的光器件层，在利用呈格子状形成的多个分割预定线划分出的多个区域形成发光二极管、激光二极管等光器件，从而构成光器件晶片。并且，通过将光器件晶片沿分割预定线切断来对形成有光器件的区域进行分割，从而制造出一个个光器件。

作为分割上述的半导体晶片和光器件晶片等晶片的方法，下述的激光加工方法被实用化：使用对晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，将聚光点定位在应分割的区域的内部，照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法是这样的技术：从晶片的一个面侧将聚光点定位在内部并照射对晶片具有透射性的波长的脉冲激光光线，从而在被加工物的内部沿分割预定线连续地形成改性层，沿着由于形成该改性层而强度降低了的分割预定线施加外力，由此分割晶片（例如，参照专利文献1）。

在下述专利文献1记载的技术中，由于需要将激光光线的聚光点定位在晶片的内部，所以在形成有器件的正面粘贴保护带，将保护带侧保持在激光光线的卡盘工作台上，并从晶片的背面侧照射激光光线。

并且，在层叠形成多个改性层的情况下，首先将激光光线的聚光点定位在正面附近进行照射，之后，在使聚光点依次向背面侧移动的同时，层叠改性层（例如，参照专利文献2）。

之所以像这样在使聚光点从晶片的正面侧依次向背面侧移动的同时，层叠形成改性层，是考虑到：当首先在背面附近形成了改性层时，使激光光线的聚光点接近正面侧时，已经形成的改性层会妨碍激光光线的照射。

现有技术文献

专利文献1：日本专利第3408805号公报

专利文献2：日本特开2009-140947号公报

而且，在晶片的内部形成了改性层时，会在入射激光光线的背面侧产生裂纹，因此，若首先将激光光线的聚光点定位在正面附近进行照射，之后，在使聚光点依次向背面侧移动的同时形成改性层的话，则存在这样的问题：裂纹会在背面侧等方向地生长而在背面附近的切断面形成凹凸，使器件的抗弯强度降低，并且粉尘飞散而污染焊盘（结合区），使器件的品质降低。

发明内容

本发明正是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术的课题在于提供一种晶片的加工方法，能够将晶片分割成一个个器件而不会在晶片的背面附近的切断面产生凹凸。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，是将晶片沿分割预定线分割成一个个器件的方法，所述晶片在正面呈格子状地形成有多个分割预定线，并且在由多个分割预定线划分出的多个区域形成有器件，