[发明专利]浅沟槽的制作方法及存储器件的制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

将衬底划分为第一区域和第二区域；

在所述第二区域欲形成浅沟槽的位置上形成第一可牺牲材料层；以及

同时对所述第一可牺牲材料层和所述衬底进行刻蚀，在所述第一区域形成第一浅沟槽，在所述第二区域中对应于第一可牺牲材料层的位置上形成第二浅沟槽，

所述制作方法还包括：

在形成所述第一可牺牲材料层之前，在所述衬底上形成具有第一开口和第二开口的保护层，所述第一开口对应于所述第一区域中欲形成第一浅沟槽的位置，所述第二开口对应于所述第二区域中欲形成第二浅沟槽的位置；

在所述形成第一可牺牲材料层的步骤中，所述第一可牺牲材料层形成于所述第二开口的侧壁上且未填满所述第二开口；

或者

所述制作方法中，在形成所述第一可牺牲材料层前还包括：

在所述第一区域中对应于所述第一浅沟槽的位置形成第一预浅沟槽的步骤，以及在

所述第二区域中对应于所述第二浅沟槽的位置形成第二预浅沟槽的步骤，所述第一可牺牲材料层形成在所述第二预浅沟槽的内壁上。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述保护层为牺牲材料层或介质层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述保护层为牺牲材料层时，形成所述具有第一开口和第二开口的保护层的步骤包括：

在所述衬底上形成预备保护层；

在所述预备保护层上形成图案化的第一硬掩膜层；

依照所述第一硬掩膜层中图形向下刻蚀，形成所述具有第一开口和第二开口的保护层；

去除所述第一硬掩膜层；以及

在形成所述第一浅沟槽和第二浅沟槽后去除剩余的所述保护层。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述保护层作为介质层时，所述形成具有第一开口和第二开口的保护层的步骤包括：

在所述衬底上形成预备保护层；

在所述预备保护层上形成第二可牺牲材料层；

在所述第二可牺牲材料层上形成图案化的第一硬掩膜层；

依照所述第一硬掩膜层中图形向下依次刻蚀所述第二可牺牲材料层及所述预备保护层，直至在所述预备保护层中形成第一开口和第二开口；以及

去除所述第一硬掩膜层和剩余的所述第二可牺牲材料层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述第二开口中形成所述第一可牺牲材料层的步骤包括：

同时在所述保护层的第一开口和第二开口中形成所述第一可牺牲材料层；

在位于所述第二开口中的所述第一可牺牲材料层上形成第二硬掩膜层；

去除位于所述第一开口中的所述第一可牺牲材料层；以及

去除所述第二硬掩膜层。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在形成所述第一可牺牲材料层之前，在所述衬底上形成具有第一开口和第二开口的保护层，所述第一开口与所述第一预浅沟槽相通，所述第二开口与所述第二预浅沟槽相通。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述保护层为牺牲材料层，或者所述保护层为介质层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述保护层为牺牲材料层，所述形成具有第一开口和第二开口的保护层，以及在所述衬底上形成第一预浅沟槽和第二预浅沟槽的步骤包括：

在所述衬底上形成预备保护层；

在所述预备保护层上形成图案化的第一硬掩膜层；

依照所述第一硬掩膜层中图形向下刻蚀，形成具有第一开口和第二开口的所述保护层，并在所述衬底上形成与所述第一开口相通的第一预浅沟槽，以及与所述第二开口相通的第二预浅沟槽；

去除所述第一硬掩膜层；以及

在形成第一浅沟槽和第二浅沟槽后去除剩余的所述保护层。