[发明专利]串行与非式闪存存储器及其内建可变式坏区的管理方法有效

专利信息
申请号: 201410104475.5 申请日: 2014-03-20
公开(公告)号: CN104932831B 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 陈敏修;麦克·欧伦 申请(专利权)人: 华邦电子股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F12/02
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 张然,李昕巍
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 串行 闪存 存储器 其内 可变 式坏区 管理 方法
【权利要求书】:

1.一种内建与非式闪存存储器的内建可变式坏区的管理方法,包括:

设置一地址对应表,该地址对应表具有一初始对应记录以记录多个逻辑地址与多个实体位置间的对应关系;

接收一锁定解除命令;

依据该锁定解除命令以接收一抹除信号以抹除该初始对应记录中的至少一部分;以及

接收一更新数据并写入该更新数据至被抹除的该初始对应记录的部分以获得一更新对应记录。

2.如权利要求1的内建与非式闪存存储器的内建可变式坏区的管理方法,其中还包括:

通过设定一锁定解除旗标来提供该锁定解除命令。

3.如权利要求1的内建与非式闪存存储器的内建可变式坏区的管理方法,其中还包括:

在抹除该初始对应记录中的至少一部分之前,备份该初始对应记录至一备份存储区块中。

4.如权利要求3的内建与非式闪存存储器的内建可变式坏区的管理方法,其中还包括:

依据该锁定解除命令以抹除该地址对应表中的该更新对应记录;

由该备份存储区块读取该初始对应记录;以及

将该初始对应记录写入至该地址对应表中。

5.一种内建与非式闪存存储器,包括:

多个闪存存储单元,排列成一闪存存储单元阵列;

一初始化电路,耦接该闪存存储单元阵列;以及

一地址对应表,耦接该初始化电路,

其中,该地址对应表具有一初始对应记录以记录多个逻辑地址与多个实体位置间的对应关系,该初始化电路接收并依据一锁定解除命令以接收一抹除信号以抹除该初始对应记录中的至少一部分,该初始化电路并接收一更新数据并写入该更新数据至被抹除的该初始对应记录的部分以获得一更新对应记录。

6.如权利要求5的内建与非式闪存存储器,还包括:

一寄存器,耦接该初始化电路,该寄存器储存一锁定解除旗标,该锁定解除旗标用以提供该锁定解除命令。

7.如权利要求5的内建与非式闪存存储器,还包括:

一备份存储区块,耦接该初始化电路,

其中,该初始化电路在抹除该初始对应记录中的至少一部分之前,备份该初始对应记录至该备份存储区块中。

8.如权利要求7的内建与非式闪存存储器,其中该备份存储区块依据该锁定解除命令以抹除该地址对应表中的该更新对应记录,并由该备份存储区块读取该初始对应记录,且将该初始对应记录写入至该地址对应表中。

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