[发明专利]串行与非式闪存存储器及其内建可变式坏区的管理方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种串行与非式闪存存储器的管理方法，且特别是有关于一种串行与非式闪存存储器内建一个可抹除重写的错误区块查找表（Bad Block Management look up table,BBM LUT）的管理方法。

背景技术

随着电子产品的普及化，提供快速且大容量可供读写的非易失性存储器，成为电子产品的一个重要特色。其中，与非式闪存存储器中是一种受欢迎的选择。

在与非式闪存存储器中，例如串行周边介面（Serial Peripheral Interface,SPI）的与非式闪存存储器中，会提供一个损坏区块管理（Bad Block Management,BBM）的查找表。损坏区块管理查找表用来对应多个逻辑地址至多个实体位置。损坏区块管理查找表记录闪存存储器中损坏的存储区块的实体地址的信息，并在当闪存存储器进行存取时，通过损坏区块管理查找表，可依据所要存取的存储区块的逻辑地址，来查找到正常的存储区块的物理地址。

发明内容

本发明提供一种串行与非式闪存存储器及闪存存储器的管理方法，可对其中的地址对应表（错误区块查找表）进行修改的动作。

本发明的闪存存储器的管理方法，包括：设置地址对应表，其中，地址对应表具有初始对应记录以记录多个逻辑地址与多个实体位置间的对应关系；并且，接收锁定解除命令，以依据锁定解除命令以接收抹除信号来抹除初始对应记录中的至少一部分；另外，接收更新数据并将更新数据写至被抹除的初始对应记录的部分以获得更新对应记录。

本发明的闪存存储器包括多个闪存存储单元、初始化电路以及地址对应表。闪存存储单元排列成一闪存存储单元阵列，初始化电路耦接闪存存储单元阵列，地址对应表耦接初始化电路。其中，地址对应表具有初始对应记录以记录多个逻辑地址与多个实体位置间的对应关系。初始化电路接收并依据锁定解除命令以接收抹除信号以抹除初始对应记录中的至少一部分。初始化电路并接收更新数据并写入更新数据至被抹除的初始对应记录的部分以获得更新对应记录。

基于上述，本发明提供可抹除且更新的地址对应表，并通过这样的设置，当闪存存储器在使用中有存储区块发生损坏时，可以通过更新既有的地址对应表来避免存取到损坏的存储区块。另外，通过更新地址对应表，也可降低闪存存储器中，特定的好的区块的被存取的频率，维持闪存存储器的使用寿命。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1绘示本发明一实施例的闪存存储器的管理方法的流程图。

图2以及图3绘示本发明实施例的闪存存储器的管理方法的示意图。

图4绘示本发明一实施例的闪存存储器的示意图。

其中，附图标记说明如下：

S110～S140：闪存存储器的管理步骤

210：地址对应表

211～212：初始对应记录

PBA1、PBA2：实体地址

LBA1：逻辑地址

230：锁定解除旗标

UPD：更新数据

400：闪存存储器

410：闪存存储单元阵列

420：初始化电路

430：地址对应表

440：寄存器

450：备份存储区块

具体实施方式

请参照图1，图1绘示本发明一实施例的闪存存储器的管理方法的流程图。其中，闪存存储器可以是SPI介面的NAND闪存存储器。在管理方法的步骤S110中，设置一个内建的地址对应表。此地址对应表具有初始对应记录以记录多个逻辑地址与多个实体位置间的对应关系。地址对应表可以利用闪存存储器中的多个存储单元来进行建构，且地址对应表是做为损坏区块管理查找表。在步骤S120中，则接收锁定解除命令，这个锁定解除命令是用以解除地址对应表的防写动作，在本实施例中，地址对应表的内容在初始状态下是不能被变更的（也就是防止写入的）。在步骤S130中，依据所接收到的锁定解除命令来解除地址对应表的防写动作，并接收抹除信号来先对地址对应表中，要被更新的部分进行抹除的动作。其中，上述的抹除动作可以针对全部的地址对应表进行抹除，也可以针对部分的地址对应表进行抹除。