[发明专利]一种LED芯片级封装用金属基板的研磨方法

说明书

技术领域

本发明涉及研磨的技术领域，尤其涉及一种LED芯片级封装用金属基板的研磨方法。

背景技术

LED（英文名为Light Emitting Diode，中文名为发光二极管）芯片中的半导体层可将电流转化为光，半导体层由电子区即N型掺杂和空穴区即P型掺杂组成，电流通过半导体层，电子与空穴结合，以光子形式发出光，剩余能量以热辐射形式释放，温度可达85℃。现有的基片衬底由于是蓝宝石或硅片组成，衬底的散热问题是LED灯寿命较小的最大因素，且随着对亮度的要求不断提高，对散热的需求会越来越大，钨铜、钼铜、纯钼等金属材料由于其均有同以蓝宝石、硅片为代表的基板具有相同或相近的热膨胀系数，从而此材料将作为基板的理想替代材料或理想补充材料。然而这些材料现有的制作工艺制作箔材存在诸如坑点、色斑、表面划痕、整体厚度偏差较大、色差、表面粗糙度较大等问题，使得在封装过程中无法使用，LED封装用研磨蓝宝石或硅片的方法，由于其设备盘面、研磨砂类型造就了其只能研磨硬度较高、脆性偏大、研磨不易变形性质的材料。由于金属材料在研磨过程中具有易变性、热量分布不均匀、研磨效率低下等问题，无法研磨作为LED芯片级封装用的钼铜、钨铜、纯钼等金属材料的厚度在0.3mm以下的薄片，故LED芯片级封装用的钨铜、钼铜、纯Mo等金属材料的研磨抛光是一个全新的领域，目前没有较为专业方法来实现。

发明内容

本发明要解决的技术问题是由于金属材料在研磨过程中具有易变性、热量分布不均匀、研磨效率低下等问题，无法研磨作为LED芯片级封装用的金属材料的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种LED芯片级封装用金属基板的研磨方法，包括以下步骤：

S1、按金属基板厚度分类；

S2、选用精度高于高一个等级或平级的双面研磨机，选用厚度小于金属基板研磨后厚度的行星轮，选用组成颗粒不大于研磨砂颗粒的研磨盘，选用1:1.5～6的研磨砂和水配成的研磨液；

S3、研磨作业，双面研磨机转速为：1～50r/min，研磨盘面压力为1～300kg，研磨量以研磨圈数为依据，多圈数研磨达到所需要的厚度；

S4、抛光作业，将研磨盘更换为抛光盘，研磨砂更换为抛光砂，同样经过多圈数抛光即得到所需要的表面光洁度的产品。

其中，所述金属基板的材质为钨铜合金、钼铜合金或纯钼。

其中，所述金属基板厚度差在5um以内的分类在一起。

其中，所述行星轮的厚度不小于所述金属基板研磨后厚度的60%。

其中，所述研磨砂和所述抛光砂均采用金刚石、稀土、碳化硅或氧化铝材质。

其中，所述抛光砂粒度为2000～6000目，所述研磨砂粒度为200～2000目。

其中，所述研磨盘和所述抛光盘材质为氧化铝、钨钢、氧化铈、合成铝、铸铁、合成铁、合成铜或合成锡。

本发明的上述技术方案具有如下优点：本发明所提供的LED芯片级封装用金属基板的研磨方法解决了金属基板的研磨、抛光的问题，并解决了一般的在研磨过程中出现的弯曲、整体厚度偏差大，表面光洁度较差等问题，使金属基板表面光洁度较好，整体厚度偏小，从而可以满足金属基板在芯片级LED封装上的使用

附图说明

图1是本发明实施例LED芯片级封装用金属基板的研磨方法的流程框图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

本发明提供的一种LED芯片级封装用金属基板的研磨方法，采用双面研磨机对金属基板进行研磨，金属基板的材质为钨铜合金、钼铜合金或纯钼包含以下步骤：

S1、按金属基板厚度分类，本实施例中将金属基板厚度差在5um以内的分类在一起，如金属基板研磨后厚度为0.2mm，研磨前厚度为0.22mm，则将0.22～0.225mm的分为一类，0.225～0.23mm为一类；