[发明专利]一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法有效

专利信息
申请号: 201410106641.5 申请日: 2014-03-20
公开(公告)号: CN103885285A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 王伟斌;朱忠华;魏芳;张旭昇 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G03F1/84 分类号: G03F1/84
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 针对 光刻 版图 接触 热点 检查 方法
【权利要求书】:

1.一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,所述方法包括:

提供一设置有接触孔图形和互连线图形的光刻版图,且每个所述接触孔图形均对应一个所述互连线图形;

根据所述接触孔图形被所述互连线图形所覆盖的包围值将所述接触孔图形划分为两个种类并对其进行分类标记;

对所述光刻版图进行光学临近效应修正工艺后,继续工艺偏差图形模拟;

根据所述接触孔图形的种类对所述模拟后接触孔图形进行热点检查;

其中,所述包围值为每个所述接触孔图形与其对应的互连线图形之间的最小距离。

2.如权利要求1所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,所述接触孔图形为矩形,所述互连线图形均为多边形;其中,所述互连线图形与对应的所述接触孔图形均有重合部分。

3.如权利要求1所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,根据所述光刻版图的原始数据得到所述包围值,根据所述包围值所述接触孔被分为A类接触孔和B类接触孔。

4.如权利要求3所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,所述B类接触孔中包围值≥50nm的外边数量≥2。

5.如权利要求3所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,所述A类接触孔中包围值≥50nm的外边数量<2。

6.如权利要求1所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,所述光刻版图进行工艺偏差图形模拟得出每个接触孔图形及其互连线图形的叠对面积百分比。

其中,所述叠对面积百分比为所述接触孔图形与相对应互连线图形的重合面积与该接触孔面积之比。

7.如权利要求3所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,针对所述A类接触孔,在实际硅片上的叠对面积百分比要小于通过工艺偏差模拟后得到的叠对面积百分比。

8.如权利要求3所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,所述分类标记对A类接触孔和B类接触孔进行标记区分,所述分类标记与所述接触孔图形一一对应,并以所述接触孔图形为中心对该接触孔进行完全包围。

9.如权利要求7所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,所述分类标记的外轮廓为矩形,并对A类接触孔和B类接触孔进行了区分;

其中,所述分类标记之间不会相互重叠。

10.如权利要求1所述的一种针对光刻版图接触孔热点的检查方法,其特征在于,当分类后的接触孔图形的叠对面积百分比小于最小叠对面积,可判定该接触孔图形的为热点;

其中,A类接触孔的最小叠对面积大于B类接触孔的最小叠对面积。

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